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张玉明

作品数：970 被引量：447H指数：11
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 699篇专利
  • 187篇期刊文章
  • 79篇会议论文
  • 3篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 351篇电子电信
  • 36篇自动化与计算...
  • 35篇理学
  • 30篇电气工程
  • 14篇一般工业技术
  • 7篇文化科学
  • 5篇化学工程
  • 3篇经济管理
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇矿业工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇核科学技术

主题

  • 195篇碳化硅
  • 121篇欧姆接触
  • 120篇肖特基
  • 108篇衬底
  • 102篇晶体管
  • 91篇4H-SIC
  • 86篇肖特基接触
  • 84篇退火
  • 83篇电路
  • 76篇样片
  • 68篇半导体
  • 67篇二极管
  • 64篇SUB
  • 62篇异质结
  • 62篇SIC
  • 59篇石墨
  • 59篇石墨烯
  • 59篇欧姆接触电极
  • 59篇接触电极
  • 55篇掺杂

机构

  • 966篇西安电子科技...
  • 10篇教育部
  • 9篇西安交通大学
  • 6篇西北大学
  • 6篇西安科技大学
  • 5篇武警工程学院
  • 3篇西北核技术研...
  • 3篇中国电子科技...
  • 3篇中国科学院微...
  • 2篇南京电子器件...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇宁波大红鹰学...
  • 2篇西安翔腾微电...
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇广西大学
  • 1篇河南科技大学
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇西安工程大学
  • 1篇西安微电子技...
  • 1篇西北工业大学

作者

  • 969篇张玉明
  • 324篇张义门
  • 306篇汤晓燕
  • 282篇宋庆文
  • 230篇郭辉
  • 210篇张艺蒙
  • 196篇吕红亮
  • 159篇贾仁需
  • 110篇王悦湖
  • 93篇袁昊
  • 79篇雷天民
  • 72篇元磊
  • 71篇张克基
  • 39篇韩超
  • 35篇邓鹏飞
  • 35篇何艳静
  • 31篇张晨旭
  • 31篇刘银涛
  • 25篇武岳
  • 24篇赵艳黎

传媒

  • 36篇Journa...
  • 30篇物理学报
  • 23篇西安电子科技...
  • 15篇第十五届全国...
  • 10篇固体电子学研...
  • 10篇第十四届全国...
  • 9篇电子器件
  • 5篇半导体技术
  • 5篇电子学报
  • 5篇红外与毫米波...
  • 5篇计算物理
  • 5篇微电子学
  • 4篇第十四届全国...
  • 3篇微纳电子与智...
  • 3篇第六届西北地...
  • 3篇第十三届全国...
  • 3篇第十七届全国...
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇电子与信息学...
  • 2篇电力电子技术

年份

  • 49篇2024
  • 57篇2023
  • 68篇2022
  • 50篇2021
  • 61篇2020
  • 57篇2019
  • 35篇2018
  • 87篇2017
  • 28篇2016
  • 27篇2015
  • 93篇2014
  • 64篇2013
  • 57篇2012
  • 22篇2011
  • 21篇2010
  • 17篇2009
  • 26篇2008
  • 34篇2007
  • 15篇2006
  • 14篇2005
共 970 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于人工神经网络的有源器件建模概述被引量：2
2021年
对人工神经网络在有源器件模型建模及其应用进行了综述。论述了器件建模中引入人工神经网络的必要性,简要介绍了人工神经网络的构造和原理,针对现存人工神经网络在器件建模方面的应用进行了对比和综述;最后展望了这种方法所面临的问题和可能发展的方向。
戚军军吕红亮张玉明张义门
关键词：人工神经网络有源器件
一种控制氢气流量N型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制氢气流量N型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达1...
王悦湖胡继超张艺蒙宋庆文张玉明
文献传递
有效跨导为1052mS/mm的高性能InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As HEMTs(英文)被引量：5
2013年
成功研制了栅长为0.15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下,当器件VDS为1.7 V、VGS为0.1 V时,其有效跨导达到了1 052 mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.032Ω.mm,器件欧姆接触电阻率为1.03×10-7Ω.cm-2.正是良好的欧姆接触及其短的源漏间距减小了源电阻,进而使得有效跨导比较大.器件有比较好的射频特性.从100 MHz到40 GHz,S参数外推出来的fT和fmax分别为151 GHz和303 GHz.所报道的HEMT器件非常适合毫米波段集成电路的研制.
钟英辉王显泰苏永波曹玉雄张玉明刘新宇金智
关键词：INPINALASINGAAS
一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管
本发明公开了一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管，包括：N<Sup>+</Sup>衬底区；漂移层，位于N<Sup>+</Sup>衬底区上，漂移层的表面至少包括两个沟槽及相邻两个沟槽之间的一个凸起结构；P型区，包括：...
宋庆文张玉明汤晓燕袁昊张艺蒙王栋
文献传递
一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法
本发明公开了一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法，属于微电子技术领域。以提高驱动管电流增益，同时使得工艺简单，降低成本。包括：N+发射区，设置在所述基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈倾斜槽型的器件隔离区和呈垂直...
元磊李钊君宋庆文汤晓燕张艺蒙张玉明
文献传递
微带线碳化硅E类功率放大器设计
2009年
SiC MESFET由于其高击穿电压和低输出电容,适合用于设计E类功率放大器。设计了一种结构简单的微带线拓扑E类负载网络,可以匹配至标准电阻,且抑制高至5阶的谐波。用ADS软件进行电路仿真,在2.14 GHz频率点下,峰值功率附加效率(PAE)为70.5%,漏极效率可达80%,功率增益约为10 dB。
徐志超吕红亮张玉明张义门
关键词：E类功率放大器MESFET微带线谐波抑制
Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，其中，制备方法包括：选取蓝宝石衬底；利用MBE工艺在蓝宝石衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在Ga<Sub>2</Sub>...
贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
文献传递
一种高温碳化硅功率器件封装结构及其制备方法
本发明实施例提供了一种高温碳化硅功率器件封装结构及制备方法，涉及半导体器件封装领域，可以有效地增强器件寿命，提高器件稳定性，同时降低成本，简化工艺。所述封装结构包括：金属正电极(1)、金属负电极(3)以及所述金属正电极(...
张艺蒙李家昌宋庆文王悦湖张玉明汤晓燕贾仁需
文献传递
碳化硅功率器件研究现状被引量：8
2015年
随着我国科技事业的大力发展，尤其是航空航天、高铁和高压输电等尖端领域，非常需要性能更好的功率器件作为研究和发展的支撑。而硅（si）器件由于材料本身的限制导致其不适合在某些严酷条件下工作，
张玉明汤晓燕宋庆文
关键词：硅功率器件碳化航空航天高压输电
一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件
本发明涉及一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件，包括：N+衬底区、N‑外延区、P‑阱区、N+注入区、栅极、第一P+注入区、第二P+注入区、源极和漏极，其中，第一P+注入区和第二P+注入区的深度大于栅极的深度，源极与N...
袁昊何艳静韩超汤晓燕宋庆文张玉明
文献传递
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