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张晓玉

作品数:24 被引量:35H指数:4
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金四川省学术和技术带头人培养资金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术环境科学与工程更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 14篇晶体
  • 14篇光子
  • 14篇光子晶体
  • 5篇激光
  • 5篇光刻
  • 5篇二维光子
  • 5篇二维光子晶体
  • 4篇微细
  • 4篇微细加工
  • 4篇微细加工技术
  • 4篇离子刻蚀
  • 4篇刻蚀
  • 4篇空气柱
  • 4篇反应离子
  • 4篇反应离子刻蚀
  • 3篇透镜
  • 3篇透镜阵列
  • 3篇平面波展开法
  • 3篇微透镜
  • 3篇微透镜阵列

机构

  • 22篇中国科学院
  • 6篇兰州大学

作者

  • 24篇张晓玉
  • 20篇姚汉民
  • 16篇杜春雷
  • 7篇邢廷文
  • 6篇高洪涛
  • 4篇张磊
  • 4篇周崇喜
  • 4篇潘丽
  • 3篇王长涛
  • 3篇严佩英
  • 3篇刘强
  • 2篇张福甲
  • 2篇邱传凯
  • 1篇孙祖红
  • 1篇蒲巧生
  • 1篇吴晶
  • 1篇王威
  • 1篇潘莉
  • 1篇钟德蓉
  • 1篇安卫军

传媒

  • 4篇光电工程
  • 2篇微细加工技术
  • 2篇2003年十...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 8篇2007
  • 1篇2005
  • 5篇2004
  • 4篇2003
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法
一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法,根据要求制作的微透镜阵列的尺寸设计制作二元掩模,对光刻胶进行两次涂胶,进行60℃-75℃低温、50min-90min长时间前烘,并将二元掩模经光学系统投影在经过涂胶和前烘工艺后的光...
张晓玉潘丽杜春雷
文献传递
硅和锗在红外二维光子晶体中的适用性比较
本文为了寻找更好的红外光子晶体材料,对硅和锗材料自身的性质进行了比较,并采用平面波展开法(PWE)计算了两种材料气孔型二维光子晶体的光子带隙图,发现锗二维光子晶体的禁带比硅大得多,两种材料的反应离子刻蚀(RIE)实验也表...
张磊张晓玉姚汉民杜春雷张福甲
关键词:二维光子晶体光子带隙平面波展开法反应离子刻蚀
文献传递
SU-8环氧树脂的分离实验研究被引量:1
2007年
为分析和解决商业用SU-8胶在355 nm波长的吸收性和后烘缩胶等问题,先采用柱层析对SU-8环氧树脂进行分离,然后进一步用高压液相色谱-尺寸排阻色谱法对SU-8环氧树脂进行分离和分析。结果表明,SU-8环氧树脂包括SU-1,SU-2,SU-4,SU-6和SU-8多种组分及其它杂质,分子量分布在100-100 000的范围。根据分析结果,研究了上述问题出现的原因,并配制了性能优化的SU-8光刻胶,结合全息光刻技术制作了三维光子晶体。
张晓玉周崇喜姚汉民邢廷文
关键词:SU-8光刻胶
AZ9260光刻胶制作连续非球面微透镜阵列的研究被引量:4
2003年
为解决研制深浮雕连续非球面微光学元件所面临的浮雕深度和面型控制这两大难点,选取吸收系数小的AZ9260正性光刻胶进行实验研究。提出了采用低温长时间前烘和连续升温后烘技术实现深浮雕结构和非球面面型的控制,并得到口径为300μm、抗蚀剂厚度为35.49μm、石英刻蚀深度为72.36μm双曲线柱面透镜的最佳光刻工艺参数。实验曲线与标准双曲线拟合所得最大误差为2.3637μm,均方根差为0.9779μm。
张晓玉姚汉民杜春雷潘丽邱传凯
关键词:光刻
完全禁带二维光子晶体的研究被引量:2
2004年
 利用平面波展开法,对存在完全禁带的正三角排列的气柱型二维光子晶体和蜂窝状排列的介质柱型二维光子晶体进行了研究,分析了柱的半径和介质折射率对完全禁带大小的影响,结果表明,正三角排列气柱型比蜂窝状排列介质柱型具有更大的最大带隙率,而且最大带隙率还可以通过介质折射率的改变来优化;蜂窝状排列介质柱型二维光子晶体最容易加工的结构刚好适合常见材料硅或砷化镓,具有更大的实用价值。
张磊张晓玉姚汉民杜春雷张福甲
关键词:光子晶体二维光子晶体平面波展开法
二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与结构参数的关系被引量:6
2004年
利用Bandsolve软件分别优化计算得到GaAs、Si、Ge三种材料的二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与晶格结构、填充比、介电常数比三个主要影响因素之间的关系。研究发现,当填充比(r/a)介于0.1~0.5时,对于六边形晶格,三种材料都不存在完全禁带;四边形晶格,Ge存在较窄的完全禁带,GaAs和Si不存在完全禁带。对于蜂窝形晶格,当填充比介于0.18~0.5时,三种材料均存在较大的完全禁带,而且,介电常数比越大,完全禁带宽度越大。所得结果对二维介质圆柱型光子晶体的制作和进一步应用研究奠定了理论依据。
张晓玉姚汉民杜春雷张磊
关键词:光子晶体晶格
光子晶体变频装置
光子晶体可为一维光子晶体和二维光子晶体,一维光子晶体由基片和介质膜层构成,介质膜层由高低折射率材料交替排列呈周期结构分布,通过离子束淀积法、真空磁控溅射法、热压、溶胶-凝胶、化学气相沉积法、真空蒸发法等技术在基片上制作得...
张晓玉高洪涛杜春雷严佩英姚汉民
文献传递
一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法
一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法,根据要求制作的微透镜阵列的尺寸设计制作二元掩模,对光刻胶进行两次涂胶,进行60℃-75℃低温、50min-90min长时间前烘,并将二元掩模经光学系统投影在经过涂胶和前烘工艺后的光...
张晓玉潘丽杜春雷
文献传递
SU-8光刻胶制作三维光子晶体被引量:2
2007年
针对SU-8光刻胶应用于三维光子晶体的制作研究,本文提出并实现了对SU-8光刻胶的重要成分SU-8环氧树脂采用柱层析和高压液相色谱-尺寸排阻色谱法进行分离,分离结果表明SU-8环氧树脂分子量分布范围很大,从大约100~100000,包括SU-1、SU-2、SU-4、SU-6、SU-8多种组分及其混合物.采用分离后的SU-8和SU-6纯组分配制了性能优化的SU-8光刻胶,并总结了其最佳光刻工艺,结合干涉光刻技术制作了晶格常数为922nm的三维面心立方光子晶体结构.
张晓玉高洪涛周崇喜刘强邢廷文姚汉民
关键词:SU-8光刻胶三维光子晶体柱层析
基于智能手机和微流控芯片的环境与生物样品的检测方法研究
微流控技术因其具有低成本、低消耗、易携带、集成化、自动化等特点成为近年来受到广泛关注的分析技术之一,而随着智能手机、平板电脑等便携设备的不断普及和发展,将其用于分析与检测逐渐成为分析方法的新趋势之一。本工作目的是建立一种...
张晓玉
关键词:微流控芯片智能手机环境样品生物样品
文献传递
共3页<123>
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