彭志明
- 作品数：5 被引量：21H指数：2
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Ni_2MnGa铁磁形状记忆材料被引量：7
- 2003年
- 铁磁形状记忆合金 (FSMA)是在一定温度范围马氏体相稳定同时又具铁磁性的一类特殊的形状记忆合金。Ni2MnGa铁磁形状记忆合金近年来成为呈现磁场驱动大应变的新型驱动材料 ,这些应变来自磁场诱发马氏体孪晶的重排 ,而不是磁场对奥氏体至马氏体相变的作用。孪晶变体的重排在宏观上呈现为正或切应变 ,一非化学计量比Ni2 MnGa单晶于室温加 0 .4T磁场能产生6 %的应变 ,Ni Mn Ga单晶在高至 15 0Hz的交变磁场仍可得到 2 .5 %的应变。本文阐述了与这种磁控形状记忆效应相关的孪晶界迁动的磁学和晶体学理论。马氏体相的大磁晶各向异性能使磁化沿c轴方向有利 ,穿过孪晶界c轴刚好转动 90度 ,同时 ,这个孪晶界也构成了约 90度的畴界。在各向异性的情况下 ,孪晶界的迁动仅有相邻孪晶变体的Zeeman能差驱动 ,μ0 ΔMis·Hi。磁场和外应力对应变的影响通过对一简单的自由能表达式取极小值来表示 ,自由能表达式包括Zeeman能、磁晶各向异性能和外应力以及在某些情况下需考虑的内部弹性能 ,模型的所有参数可通过应力 应变曲线和磁化曲线测量得到。铁磁形状记忆合金的磁场诱发应变可类比传统热弹性形状记忆效应 ,与更为人们所熟知的磁致伸缩现象不同。
- 金学军彭志明R.C.O’HandleyS.M.Allen徐祖耀
- 关键词：孪晶界NI2MNGA
- Ce,Y-TZP陶瓷的室温至250℃内耗
- 2003年
- 测量了不同Y2O3稳定剂含量(摩尔分数分别为0.25％,0.50％和0.75％)对8Ce,Y—TZP陶瓷的室温至250℃内耗特征的影响.结果表明,Y2O3含量为0.25％时,晶体结构为单斜相,无内耗峰出现,内耗呈单调增加;而Y2O3含量为0.50％和0.75％时,晶体结构为四方相,在内耗-温度曲线上出现弛豫内耗峰,模量单调减小,峰值为10-3-10-2,峰位随测试频率增加向高温移动,弛豫时间符合Arrhenius关系,内耗峰的积分强度与稳定剂的含量(即Y3+离子的浓度)成正比,该内耗峰起源于Yz'Vo偶极子的再取向.
- 金学军赵诚张玉龙彭志明蒋丹宇施剑林
- 应力下Ni2MnGa界面迁动微观机制模拟
- 本文对应力下Ni2MnGa界面迁动微观机制进行了模拟，研究了在温度场、应力场和磁场作用下的马氏体相变过程以及相应的显微组织和相组成。
- 高一鹏彭志明金学军
- 关键词：记忆合金磁致伸缩
- 文献传递
- Ni_2MnGa合金结构及磁控形状记忆机制的研究进展被引量：13
- 2004年
- Ni2MnGa是一种新型的功能材料,它在磁场下能产生大的应变。本文从结构和磁控形状记忆机制方面阐述近年来国内和国际研究的进展,着重磁控形状记忆机制的3种微观模型。
- 彭志明金学军徐祖耀
- 关键词：形状记忆合金NI2MNGA
- 单晶Ni-Mn-Ga孪晶界迁动机制研究及应力诱发马氏体相变模拟
- Ni<,2>MnGa铁磁形状记忆合金既有大的可逆应变,又有较高的响应频率,作为一种新型的形状记忆合金受到了广泛的关注和研究。在晶体结构、基础磁学性能、合金中的相变以及磁致应变表象机制等方面,都取得了显著进展,但是对于决定...
- 彭志明
- 关键词：NI-MN-GA铁磁形状记忆合金有限元模拟
