朱战平
- 作品数：20 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发光(PL)谱与电学性能的关系研究
- 用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能....
- 崔利杰曾一平王保强朱战平
- 关键词：MHEMT电学性能
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- InGaAs沟道层中In组分含量对MM-HEMT材料性能的影响
- 采用MEB技术制备了一系列沟道层不同In组分含量的MM-HEMT材料.结果发现,随In组分含量的变化,材料的电子迁移率有一最佳值,对这一结果给予了解释.
- 崔利杰朱战平王保强张昉昉曾一平李灵霄林兰英
- 关键词：分子束外延技术MM-HEMT材料材料性能
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- N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法
- 本发明公开了一种N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法，具体说来是将一个倒置型有机发光二极管(OLED)外延生长在下部的无机红外光探测器单元上。该装置的工作原理是反向偏置的红外探测器单元将输入的红外信号转换为电信...
- 楚新波关敏曾一平王宝强朱战平
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- 纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现
- 2007年
- 利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰值电流密度接近3kA/cm2,峰和谷的电流密度比率达到19.
- 张杨曾一平马龙王保强朱战平王良臣杨富华
- 关键词：共振隧穿二极管INP基分子束外延
- In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As MM-HEMT材料MBE生长
- 采用MBE生长技术,在半绝缘GaAs衬底上生长了大失配的In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MM-HEMT材料.对其进行了透射电镜(TEM)、PL谱以及Shhubnikov...
- 崔利杰王保强朱战平
- 关键词：分子束外延生长MM-HEMT材料GAAS衬底
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- GaAs基MM-HEMT和InP基LM-HEMTMBE生长
- 本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的电子迁移率与电子浓度都非常接近,这说明我们采用阶梯式变组分的方法生长MM-...
- 崔利杰曾一平王保强朱战平李灵霄林兰英
- 关键词：MBEHEMT电子迁移率
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- 低In组分InxGa1-xAs/GaAs自组织量子点的MBE生长
- 我们用MBE生长了低组分In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs量子点(x=0.3和0.5),反射高能电子衍射仪(RHEED)显示了良好的2×4再构向三维生长的点状图象转化的过程.同时,原子力显微镜(AFM)实验表明,...
- 段瑞飞曾一平孔梅影张昉昉朱战平王保强李灵霄
- 关键词：自组织生长INGAAS/GAAS分子束外延生长量子点材料
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- GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的零场自旋分裂
- 采用Shubnikov-de Hass(SdH)振荡测试技术研究了GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的磁输运特性,并在窄带隙和掺杂浓度高的材料中发现了零场自旋分裂现象.
- 崔利杰曾一平王保强朱战平李灵霄林兰英
- 关键词：分子束外延
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- 不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究被引量：1
- 2007年
- 用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4K下不同量子阱宽度(10-35nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率.研究发现,在Si掺杂浓度一定时,阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改变不大,但是随着阱宽的增加,阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带,且第二子带上的载流子迁移率远大于第一子带迁移率.当量子阱宽度为20nm时,处在第二子能级上的电子数与处在第一子能级上的电子数之比达到了最大值0.24.此时有最多的电子位于迁移率高的第二子能级,材料的迁移率也最大.此结果对于优化器件的设计有重要意义.
- 高宏玲李东临周文政商丽燕王宝强朱战平曾一平
- 关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管
- 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法
- 一种无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法，包括：采用相同工艺对一系列不同结构的晶体管材料进行器件制备，根据器件结果选取最优的晶体管外延材料；将所确定的外延材料在一确定温度T下做PL谱实验，找出沟道层的2DEG...
- 崔利杰曾一平王保强朱战平
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