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李哲深

作品数：5 被引量：9H指数：2
供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇钝化
  • 3篇砷化镓
  • 3篇GAAS
  • 1篇导体
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇淀积
  • 1篇钝化膜
  • 1篇气相淀积
  • 1篇热壁外延
  • 1篇硫钝化
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇光电子能谱研...
  • 1篇半磁半导体
  • 1篇半导体
  • 1篇NH
  • 1篇SEM
  • 1篇ZN
  • 1篇GAAS表面
  • 1篇GAS

机构

  • 5篇复旦大学
  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 5篇李哲深
  • 3篇胡海天
  • 3篇曹先安
  • 3篇侯晓远
  • 3篇丁训民
  • 3篇袁泽亮
  • 2篇陈溪滢
  • 2篇陆尔东
  • 1篇缪熙月
  • 1篇徐世红
  • 1篇徐彭寿
  • 1篇杨建树
  • 1篇吕宏强
  • 1篇沈军
  • 1篇王建宝
  • 1篇张新夷
  • 1篇王杰
  • 1篇沈孝良

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 3篇1998
  • 1篇1994
  • 1篇1992
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究被引量：3
1998年
前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量。
胡海天丁训民袁泽亮李哲深曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
关键词：砷化镓钝化
GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜
1998年
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。
曹先安胡海天丁训民陈溪滢袁泽亮李哲深侯晓远
关键词：气相淀积砷化镓钝化膜
中性(NH_4)_2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究被引量：5
1998年
采用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）结合扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和称量法，研究了中性（ＮＨ４）２Ｓ溶液钝化ＧａＡｓ（１００）表面，并与常规（ＮＨ４）２Ｓ碱性溶液钝化方法进行了比较．ＳＲＰＥＳ结果表明该处理方法可以产生较厚的Ｇａ硫化物层和较强的Ｇａ—Ｓ键，Ｇａ的硫化物有好的稳定性．称量法表明该方法有更低的腐蚀速率．ＳＥＭ结果表明该方法钝化处理的ＧａＡｓ表面所产生的腐蚀坑数目少，直径小．
袁泽亮丁训民胡海天李哲深杨建树缪熙月陈溪滢曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
关键词：SEM表面钝化砷化镓
热壁外延法生长Zn_(1-x)Mn_xSe半磁半导体薄膜被引量：1
1992年
作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.
王杰吕宏强沈军李哲深王建宝沈孝良
关键词：热壁外延半磁半导体
GaAs(100)表面的硫钝化
李哲深
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共1页<1>
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