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中频磁控溅射AlN薄膜的电学性能研究: 2010年; 利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能,并对该介质薄膜的导通机制进行了分析。结果表明,所制备的薄膜呈非晶态,5kW溅射功率下制备的薄膜具有较好的表面结构,并具有较高的耐击穿场强,约为2.1MV/cm;结合理论分析发现,AlN在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制:低场强区服从欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主。; 贾贞翁卫祥袁军林张杰李昱郭太良; 关键词：ALN薄膜电学性能

AZO/Ag/AZO复合薄膜电极的制备及其防氧化性能研究: 大尺寸、高分辨率的场致发射平板显示器(FED)所使用薄膜电极要求电阻率很低，抗氧化性能良好，能够承受FED高温热处理工艺，但通常金属薄膜电极在高温热处理过程中会被氧化，导致导电性能显著下降，成为困扰FED发展的关键技术问...; 李昱于光龙翁卫祥贾贞郭太良; 文献传递

射频磁控溅射SiNX薄膜的制备及其绝缘性能研究: 场致发射显示器(FED)是新型平板显示技术的一种，对于后栅型结构的FED则需要一种绝缘性能良好的介质薄膜来隔离阴极和栅极，而氮化硅(SiNx)是一种具有良好绝缘性能的材料，是FED用绝缘材料研究的重要侯选材料之一。本文采...; 贾贞于光龙郭太良翁卫祥李昱; 关键词：电绝缘性能击穿场强射频磁控溅射

Cr/Cu/Ag/Cu/Cr新型银基复合薄膜电极的防氧化性能研究被引量：3: 2011年; 采用直流磁控溅射技术和光刻工艺制备了Cr/Cu/Ag/Cu/Cr复合薄膜及其电极,研究不同温度热处理对复合薄膜和电极结构、表面形貌和电性能的影响。Ag层与最外层的Cr层之间的Cu层不仅增强了Cr和Ag之间的粘附力,而且起到了牺牲层和氧气阻挡层的作用;Cr和Cu对Ag的双重保护使得薄膜电极在温度小于500℃时电阻率保持较为稳定,约为3.0×10-84.2×10-8Ω·m之间。然而由于电极表面氧化和边沿氧化的共同作用,薄膜电极的电阻率在热处理温度超过575℃出现了显著的上升。尽管如此,Cr/Cu/Ag/Cu/Cr薄膜电极仍然是一种能够承受高温热处理并且保持较低电阻率的新型电极,满足场发射平板显示器封接过程中的热处理要求。; 翁卫祥贾贞于光龙李昱郭太良; 关键词：薄膜电极表面形貌

Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极的防氧化性能被引量：2: 2011年; 采用Al作为Cu导电层的主要防氧化保护层,在普通浮法玻璃上利用磁控溅射和湿法刻蚀技术制备Cr/Cu/Al/Cr复合薄膜及其电极,研究不同的热处理温度对复合薄膜及其电极的结构、表面形貌和导电性能的影响。由于有Al层作为保护层,在热处理过程中,Al先与穿过Cr保护层的氧进行反应,从而可以更有效地保护Cu膜层在较高的温度下不被氧化,所制备的薄膜在经过600℃的热处理之后仍然具有较好的导电性能。而对于Cr/Cu/Al/Cr电极,侧面裸露的金属层在热处理过程中的氧化是其导电性能逐渐下降的主要原因,退火温度超过500℃之后,电极侧面裸露部分的氧化范围不断往电极的中间扩散,导致了薄膜电极导电性能显著恶化。虽然如此,Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极在430℃附近仍然具有较好的导电性能,电阻率为7.3×10-8Ω.m,符合FED薄膜电极的要求。以此薄膜电极构建FED显示屏,通过发光亮度均匀性的测试验证了Cr/Cu/Al/Cr电极的抗氧化性。; 翁卫祥于光龙贾贞李昱郭太良; 关键词：薄膜电极表面形貌

电子束蒸发Al_2O_3/SiO_2复合薄膜电学性能的研究被引量：3: 2011年; 利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了Al2O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80 nm/560 nm/80nm,复合薄膜的平均击穿场强为2.7 MV.cm-1,较好地满足FED后栅结构中对介质膜耐压特性的要求.结合理论分析发现,Al2O3/SiO2复合薄膜在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制,其低场强区服从准欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主.; 翁卫祥贾贞于光龙李昱郭太良; 关键词：AL2O3 SIO2 电子束蒸发电学性能

一种电子束自会聚型后栅场发射显示器的研究被引量：1: 2010年; 提出一种具有凹面阴极结构的电子束自会聚型后栅场发射显示器(FED)。利用Ansys软件模拟此器件的电场分布和电子束轨迹,研究凹面阴极不同曲率半径对阳极光斑尺寸的影响,并与平面阴极型后栅FED进行比较。仿真结果表明此器件可有效减小电子束的发散角和阳极光斑尺寸,阳极光斑尺寸随着凹面阴极曲率半径的减小而减小,同时可获得更高的电流密度。利用丝网印刷技术制备10cm×10cm的电子束自会聚型后栅FED,对其场发射性能进行测试。结果表明此器件可有效减小阳极光斑尺寸,提高显示器的分辨率;阳极电压为600V,栅极电压在100～250V范围内对电子发射有良好的调控作用。; 吴朝兴张永爱张杰李昱郭太良; 关键词：光电子学场致发射计算机模拟

后栅型场发射显示器窜压现象的研究被引量：1: 2011年; 提出后栅型场发射显示器（FED）测试过程中的窜压现象,解释该现象的产生原因。阴极电极侧壁场发射电子轰击栅极导致电压表示数发生变化。针对此问题设计一种具有沟槽状介质层结构的后栅型FED从而避免阴极电极侧壁的电子发射。采用全印刷技术制作场发射显示阵列。实验表明此器件具有良好的发射稳定性及栅压调控特性,有效杜绝窜压现象的发生。阳极电压为600 V,栅极电压在100~250 V范围内对阳极电流有良好的调控作用。; 吴朝兴胡利勤苏艺菁李昱郭太良; 关键词：二次电子发射场致发射

ZnO:Sn/Ag/ZnO:Sn复合薄膜电极的防氧化性能研究: 2011年; 随着分辨率的提高,传统金属电极在电阻率和抗氧化性能方面已经不适合作为需要高温热处理的场致发射显示器件中的薄膜电极。本文采用5.77%(原子比)Sn掺杂的ZnO:Sn作为Ag层的保护层,利用磁控溅射法制备ZnO:Sn/Ag/ZnO:Sn复合薄膜及其电极,并采用X射线衍射、光学显微镜、扫描电子显微镜和电性能测试系统研究复合薄膜及其电极在经过不同温度退火后的晶体结构、表面形貌和电学性能的变化。ZnO:Sn膜层致密,25 nm厚的ZnO:Sn足以保护Ag层在530℃的高温中不被明显氧化,电极电阻率低达2.0×10-8Ω.m左右。; 李昱袁军林翁卫祥吴朝兴贾贞郭太良; 关键词：薄膜电极抗氧化电阻率

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李昱