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贾贞: 作品数：11 被引量：11H指数：3; 供职机构：福州大学物理与信息工程学院更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划博士科研启动基金福建省科技重大专项更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

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SED显示器表面传导电子发射源的制作方法: 本发明涉及一种SED显示器表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：按以下步骤进行，a.制造透明玻璃基板；b.选用传导电子发射薄膜；c.将所述传导电子发射薄膜加工到透明玻璃基板上；d.在所述传导电子发射薄膜两侧设置有与薄...; 郭太良张永爱袁军林翁卫祥叶芸贾贞

中频磁控溅射AlN薄膜的电学性能研究: 2010年; 利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能,并对该介质薄膜的导通机制进行了分析。结果表明,所制备的薄膜呈非晶态,5kW溅射功率下制备的薄膜具有较好的表面结构,并具有较高的耐击穿场强,约为2.1MV/cm;结合理论分析发现,AlN在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制:低场强区服从欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主。; 贾贞翁卫祥袁军林张杰李昱郭太良; 关键词：ALN薄膜电学性能

薄膜型平栅极FED背光源的制备及性能研究被引量：3: 2010年; 利用磁控溅射和光刻技术在玻璃基底上制备薄膜型平栅极场发射阴极阵列,采用电泳工艺将碳纳米管(CNTs)发射材料转移到薄膜型平栅结构的阴极电极表面,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜型平栅极场发射阴极阵列。利用Ansys软件模拟阴栅间距对阴极表面电场分布的影响,优化其结构参数,对其场发射特性进行了讨论。实验结果表明,CNTs能均匀地分散在平栅型结构的阴极表面,当电场强度为2.4 V/μm时,器件发射电流密度达到1.8 mA/cm2,亮度达3 000cd/m2,均匀性为90%,能稳定发射28 h,且具有较好的栅控作用。该薄膜型平栅极背光源技术简单、成本低,为将来制备新一代大面积场发射背光源提供了可行性方案。; 张杰张永爱吴朝兴汤巧治贾贞郭太良; 关键词：背光源场致发射显示器

AZO/Ag/AZO复合薄膜电极的制备及其防氧化性能研究: 大尺寸、高分辨率的场致发射平板显示器(FED)所使用薄膜电极要求电阻率很低，抗氧化性能良好，能够承受FED高温热处理工艺，但通常金属薄膜电极在高温热处理过程中会被氧化，导致导电性能显著下降，成为困扰FED发展的关键技术问...; 李昱于光龙翁卫祥贾贞郭太良; 文献传递

射频磁控溅射SiNX薄膜的制备及其绝缘性能研究: 场致发射显示器(FED)是新型平板显示技术的一种，对于后栅型结构的FED则需要一种绝缘性能良好的介质薄膜来隔离阴极和栅极，而氮化硅(SiNx)是一种具有良好绝缘性能的材料，是FED用绝缘材料研究的重要侯选材料之一。本文采...; 贾贞于光龙郭太良翁卫祥李昱; 关键词：电绝缘性能击穿场强射频磁控溅射

Cr/Cu/Ag/Cu/Cr新型银基复合薄膜电极的防氧化性能研究被引量：3: 2011年; 采用直流磁控溅射技术和光刻工艺制备了Cr/Cu/Ag/Cu/Cr复合薄膜及其电极,研究不同温度热处理对复合薄膜和电极结构、表面形貌和电性能的影响。Ag层与最外层的Cr层之间的Cu层不仅增强了Cr和Ag之间的粘附力,而且起到了牺牲层和氧气阻挡层的作用;Cr和Cu对Ag的双重保护使得薄膜电极在温度小于500℃时电阻率保持较为稳定,约为3.0×10-84.2×10-8Ω·m之间。然而由于电极表面氧化和边沿氧化的共同作用,薄膜电极的电阻率在热处理温度超过575℃出现了显著的上升。尽管如此,Cr/Cu/Ag/Cu/Cr薄膜电极仍然是一种能够承受高温热处理并且保持较低电阻率的新型电极,满足场发射平板显示器封接过程中的热处理要求。; 翁卫祥贾贞于光龙李昱郭太良; 关键词：薄膜电极表面形貌

SED显示器表面传导电子发射源的制作方法: 本发明涉及一种SED显示器表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：按以下步骤进行，a．制造透明玻璃基板；b．选用传导电子发射薄膜；c．将所述传导电子发射薄膜加工到透明玻璃基板上；d．在所述传导电子发射薄膜两侧设置有与薄...; 郭太良张永爱袁军林翁卫祥叶芸贾贞; 文献传递

Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极的防氧化性能被引量：2: 2011年; 采用Al作为Cu导电层的主要防氧化保护层,在普通浮法玻璃上利用磁控溅射和湿法刻蚀技术制备Cr/Cu/Al/Cr复合薄膜及其电极,研究不同的热处理温度对复合薄膜及其电极的结构、表面形貌和导电性能的影响。由于有Al层作为保护层,在热处理过程中,Al先与穿过Cr保护层的氧进行反应,从而可以更有效地保护Cu膜层在较高的温度下不被氧化,所制备的薄膜在经过600℃的热处理之后仍然具有较好的导电性能。而对于Cr/Cu/Al/Cr电极,侧面裸露的金属层在热处理过程中的氧化是其导电性能逐渐下降的主要原因,退火温度超过500℃之后,电极侧面裸露部分的氧化范围不断往电极的中间扩散,导致了薄膜电极导电性能显著恶化。虽然如此,Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极在430℃附近仍然具有较好的导电性能,电阻率为7.3×10-8Ω.m,符合FED薄膜电极的要求。以此薄膜电极构建FED显示屏,通过发光亮度均匀性的测试验证了Cr/Cu/Al/Cr电极的抗氧化性。; 翁卫祥于光龙贾贞李昱郭太良; 关键词：薄膜电极表面形貌

电子束蒸发Al_2O_3/SiO_2复合薄膜电学性能的研究被引量：3: 2011年; 利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了Al2O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80 nm/560 nm/80nm,复合薄膜的平均击穿场强为2.7 MV.cm-1,较好地满足FED后栅结构中对介质膜耐压特性的要求.结合理论分析发现,Al2O3/SiO2复合薄膜在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制,其低场强区服从准欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主.; 翁卫祥贾贞于光龙李昱郭太良; 关键词：AL2O3 SIO2 电子束蒸发电学性能