杨晓丽
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法
- 本发明提供一种Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，将纯度为4N以上的ZnO和高纯Cu粉末混合压制成所需靶材；步骤2：在氩气和氧气混合气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上形成薄膜；步...
- 杨晓丽陈诺夫尹志岗
- 文献传递
- 液相外延法制备0.55eV-GaInAsSb四元合金薄膜及其在热光伏器件中的应用(英文)
- 2008年
- 利用液相外延法(LPE)在n型GaSb衬底上成功制备了用于热光伏电池的Ga1-xInxAsySb1-y四元合金薄膜.通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析评价.X射线能谱(EDAX)分析表明四元合金薄膜的成分为x=0.2,y=0.17.红外傅里叶变换透射谱分析表明,其室温下的吸收截止波长为2.256μm,对应禁带宽度为0.55eV.室温下的霍尔测试结果表明外延膜具有良好的电学性能,其非故意掺杂的薄膜表现为p型,载流子浓度为6.1×1016cm-3,迁移率为512cm2/(V·s).又进一步利用Ga1-xInxAsySb1 -y薄膜制备了不同结构的GaInAsSb基热光伏电池,光谱响应测试表明其量子效率可达60%.
- 刘磊陈诺夫杨晓丽汪宇高福宝
- 关键词：GAINASSB液相外延光谱响应
- 铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析被引量：1
- 2010年
- 采用铝诱导结晶法在玻璃衬底上制备了具有高度(111)择优取向的多晶硅薄膜.首先通过磁控溅射在玻璃衬底上先后沉积铝层和非晶硅层,然后在480℃下退火1h以完成铝诱导结晶.退火后硅层与铝层发生置换,形成了具有高度(111)择优取向以及良好结晶质量的多晶硅层.通过对Al2O3氧化膜结构变化及晶格匹配进行分析,阐明了铝诱导结晶过程中(111)择优取向的铝层间接促使多晶硅(111)择优取向成核的作用机制.
- 黄添懋陈诺夫张兴旺白一鸣尹志岗施辉伟张汉汪宇王彦硕杨晓丽
- 关键词：多晶硅薄膜
