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杨炬

作品数：4 被引量：4H指数：1
供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇热力学
  • 2篇热力学模型
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇辐射探测器
  • 2篇CDZNTE
  • 2篇M
  • 1篇蒸汽压
  • 1篇探测器
  • 1篇热力学研究
  • 1篇高阻
  • 1篇Γ探测
  • 1篇Γ探测器
  • 1篇ZN
  • 1篇CDZNTE...
  • 1篇布里奇曼法
  • 1篇X
  • 1篇CD

机构

  • 4篇上海大学

作者

  • 4篇杨炬
  • 1篇李志峰
  • 1篇史伟民
  • 1篇桑文斌
  • 1篇王林军
  • 1篇闵嘉华
  • 1篇钱永彪

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇上海大学学报...

年份

  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1900
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Cd_(1-x)Zn_xTe熔体平衡蒸汽压的热力学研究被引量：1
2000年
Cd1 - x Znx Te熔体组元平衡蒸汽压数据是晶体制备中必须考虑的重要热力学参数 .在光吸收法测定 Cd- Te熔体平衡蒸汽压的基础上运用热力学关系估算了 Cd1 - x Znx Te熔体的平衡蒸汽压 ,并在所得组元平衡分压下进行了Cd1 - x Znx 合金源控制下的 MVB法熔体生长 Cd0 .8Zn0 .2 Te晶体 ,获得的晶体电阻率为 9.3× 10 9Ω· cm,各方面性能均明显提高 ,可见此热力学估算是精确可行的 .
杨炬桑文斌钱永彪史伟民王林军闵嘉华刘冬华
关键词：热力学晶体生长
分压控制CdZnTe熔体生长和探测器件研究
作为制作辐射探测器最佳材料的Cd<,1-x>Zn<,x>Te性能的提高已成为当前国际关注热点.半导体材料电学性质主要取决于晶体完整性.晶体中原生缺陷基本为杂质及本征点缺陷,后者与晶体组成对化学计量比偏离程度密切相关.由于...
杨炬
关键词：辐射探测器热力学模型
Cd_(1-x)Zn_x合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长被引量：3
1999年
本文运用热力学关系估算了ＣｄＺｎＴｅ 熔体平衡分压。尝试以Ｃｄ１ － ｘＺｎｘ 合金源替代Ｃｄ 源控制Ｃｄ 分压和Ｚｎ 分压进行了Ｃｄ０ ．８Ｚｎ ０ ．２Ｔｅ 晶体熔体生长，探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系。获得的Ｃｄ０ ．８Ｚｎ ０ ．２Ｔｅ 晶体的电阻率接近１０１０Ω·ｃｍ ，高于同类方法文献报道１ ～２ 个数量级。晶体的结构完整性较好，平均腐蚀坑密度（ＥＰＤ） 为２ ×１０５ｃｍ － ２ ，纵向组成分布偏离度在４ ％ 左右，红外透过率大于６０ ％ ，晶体中第二相和沉淀物明显减少，优于仅采用Ｃｄ 分压控制的Ｃｄ０ ．８Ｚｎ０ ．２Ｔｅ 晶体。
杨炬桑文斌钱永彪史伟民王林军刘冬华闵嘉华李志峰苏宇
关键词：CDZNTE晶体布里奇曼法Γ探测器晶体生长
分压控制CdZnTe熔体生长和探测器件研究
杨炬
关键词：辐射探测器热力学模型
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