林华平
- 作品数：20 被引量：37H指数：4
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国工程物理研究院基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 膜厚对直流磁控溅射Nb薄膜微结构的影响被引量：9
- 2008年
- 采用直流磁控溅射方法制备膜厚为50,100,200,400,600 nm的Nb薄膜,对薄膜的沉积速率、表面形貌、晶体结构进行了研究,并对其应力和择优取向进行了详细的分析。原子力显微镜图像显示Nb膜表面光滑、致密,均方根粗糙度达到0.1 nm量级。X射线小角衍射给出了薄膜的晶格结构、晶粒尺寸和应力情况。分析表明薄膜为多晶体心立方结构(bcc),在(110)晶面方向存在明显的择优取向,且随着薄膜厚度增大而增强。Nb膜应力先随薄膜厚度增大而增大,在200 nm时达到最大值(为1.0151 GPa),后随薄膜厚度的增大有所减小。
- 林华平吴卫东何智兵许华李俊王锋李盛印张宝玲宋萍江玲谌家军唐永建
- 关键词：直流磁控溅射
- 有机电致发光器件及发光机理的研究
- 有机电致发光(OLED)作为新一代最具发展前景的平板显示技术成为当前国际研究的热点,OLED是实现高分辨率和全彩显示的核心。OLED具有发光效率高、驱动电压低、响应速度快、色彩丰富、可视化角度大等优点,符合人们对现代显示...
- 林华平
- 关键词：有机电致发光载流子
- 文献传递
- OLED用三氧化钨缓冲层的研究被引量：2
- 2012年
- 采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟(IWO)作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.对比测试了有无WO3缓冲层的两种OLED器件,发现带有WO3缓冲层的OLED器件的亮度和功率均是无三氧化钨缓冲层的器件的两倍,而且发光效率最高可以达到对比器件的4倍.从器件能带排列的角度初步讨论分析了提高器件性能的原因.
- 稻秀美林华平杨铭张群
- 关键词：三氧化钨有机电致发光器件缓冲层
- N_2O Plasma表面处理对SiN_x基IGZO-TFT性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比,N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2.V-1.s-1增加至8.1 cm2.V-1.s-1,阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V,亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N2O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态,表明N2O plasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。
- 李俊周帆林华平张浩张建华蒋雪茵张志林
- 关键词：INGAZNON2O
- 具有复合空穴注入层的蓝光有机电致发光器件及其制备方法
- 本发明涉及一种具有复合空穴注入层的蓝光有机电致发光器件及其制备方法。本器件依次由ITO玻璃基板(1)、复合空穴注入层(2)、空穴传输层(3)、发光层(4)、电子传输层(5)、复合阴极(6)构成。在本发明中，复合空穴注入层...
- 林华平周帆李俊卢绪玲张良蒋雪茵张志林
- 文献传递
- 具有缓变结发光层结构的白光有机电致发光器件及其制备方法
- 本发明涉及一种具有缓变结发光层结构的白光有机电致发光器件及其制备方法。本器件依次由ITO玻璃基板(1)、空穴注入层(2)、空穴传输层(3)、缓变结发光层(4)、电子传输层(5)、复合阴极(6)构成。各结构层均采用真空蒸发...
- 林华平周帆李俊张丽娟蒋雪茵张志林
- 文献传递
- 应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层
- 本发明涉及一种应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的新型阻挡层。本器件依次由基板（1）、栅电极（2）、绝缘层（3）、氧化物有源层（4）、刻蚀阻挡层（5）、源漏电极（6）层叠构。各结构层采用真空蒸发方法、磁控溅射方法和旋涂方...
- 周帆林华平张良蒋雪茵张志林张晓薇
- 文献传递
- 具有缓变结发光层结构的白光有机电致发光器件及其制备方法
- 本发明涉及一种具有缓变结发光层结构的白光有机电致发光器件及其制备方法。本器件依次由ITO玻璃基板(1)、空穴注入层(2)、空穴传输层(3)、缓变结发光层(4)、电子传输层(5)、复合阴极(6)构成。各结构层均采用真空蒸发...
- 林华平周帆李俊张丽娟蒋雪茵张志林
- 金属钨箔膜的制备研究进展被引量：4
- 2009年
- 具有体密度的高表面质量金属钨薄膜对材料高压状态方程研究具有十分重要的意义。综述了钨箔膜制备的几种方法,包括化学气相沉积、物理气相沉积、机械轧制、机械研磨抛光、化学抛光和电解抛光。综合比较后认为,采用电解抛光法可以基本满足状态方程靶用钨箔膜的需要。电解抛光可以制备表面质量比较高,厚度最小可达几微米的金属箔材,密度与原料相同,而且不会产生内应力、表面硬化、表面沾污问题,是制备低表面粗糙度、具有块材组织结构和密度材料的一种重要手段。
- 宋萍邢丕峰谌家军李朝阳谢军易泰民林华平
- 关键词：表面粗糙度电解抛光
- 具有缓冲层的顶栅结构氧化物薄膜晶体管
- 本发明涉及一种具有缓冲层的氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法。本器件依次由基板（1）、源极（2）、漏极（3）、氧化物有源层（4）、缓冲层（5）、绝缘层（6）、栅极（7）层叠构成顶栅结构。各结构层采用真空蒸发方法和溅射方法制...
- 周帆林华平李俊蒋雪茵张志林张晓薇
- 文献传递
