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林景瑜
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
堪萨斯州立大学
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邵庆辉
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
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2004
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AlGaN肖特基势垒二极管的研制
被引量:1
2004年
为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行了研究.IV测试表明该AlGaN肖特基二极管具有明显的整流特性和较高的反向击穿电压(95V),理想因子为1.93.经300℃1min退火,该器件正、反向IV特性都得到明显改善.采用变温IV法对Au/AlGaN接触的肖特基势垒高度进行了标定,其势垒高度高达1.08eV,更适合在高压、大电流条件下工作.
邵庆辉
叶志镇
黄靖云
赵炳辉
江红星
林景瑜
关键词:
ALGAN
肖特基势垒二极管
势垒高度
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