邵庆辉
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN
- 2003年
- 随着多晶GaN材料发光研究的不断深入 ,大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以其自身特有的优势 ,成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底。本文采用一种新的金属镓层氮化技术 ,使用无定形石英作衬底 ,在常压下制备出多晶GaN。经分析测试表明 ,生长出的多晶GaN为六方结构且质量较好 。
- 邵庆辉叶志镇Nasser N.Morgan顾星黄靖云赵炳辉
- 关键词：金属GAN氮化镓半导体多晶材料
- 棒状多晶GaN及其二步制备方法
- 本发明的棒状多晶GaN的二步制备方法包括以下步骤：1)采用热浴法用清洗液清洗衬底；2)将清洗后的衬底放入热蒸发装置的衬底托上，将镓源放在热蒸发装置的石英坩埚内，热蒸发装置抽真空到1Pa～10<Sup>-3</Sup>Pa...
- 叶志镇纳赛尔邵庆辉赵炳辉
- 文献传递
- 二次退火对Al/Ti/n-GaN/Si欧姆接触的影响
- 2003年
- 采用热壁外延的方法在硅衬底上生长出n-GaN晶体,制成了Ti/Al双层电极的欧姆接触。通过对不同退火条件下的I-V特性曲线、X射线衍射及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对该接触的影响,并提出了一种新的二次退火的方法。结果表明,经过二次退火后,Al、Ti、GaN发生了界面固相反应,其接触性能明显提高。
- 邵庆辉李蓓李嘉炜黄靖云叶志镇
- 关键词：欧姆接触氮化镓界面固相反应
- 棒状多晶GaN及其二步制备方法
- 本发明的棒状多晶GaN的二步制备方法包括以下步骤：1)采用热浴法用清洗液清洗衬底；2)将清洗后的衬底放入热蒸发装置的衬底托上，将镓源放在热蒸发装置的石英坩埚内，热蒸发装置抽真空到1Pa～10<Sup>－3</Sup>Pa...
- 叶志镇纳赛尔邵庆辉赵炳辉
- 文献传递
- GaN基材料的欧姆接触及相关器件研究
- 该论文在系统总结了国内外GaN材料制备和器件应用的研究历史和现状的基础上,对金属与n型GaN的欧姆接触进行了较细致的研究,计算出接触电阻率,并在此基础上制备了AlGaN基肖特基二极管原型器件,向GaN及其合金的微电子器件...
- 邵庆辉
- 关键词：半导体材料GAN材料接触电阻率欧姆接触
- 文献传递
- AlGaN肖特基势垒二极管的研制被引量：1
- 2004年
- 为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行了研究.IV测试表明该AlGaN肖特基二极管具有明显的整流特性和较高的反向击穿电压(95V),理想因子为1.93.经300℃1min退火,该器件正、反向IV特性都得到明显改善.采用变温IV法对Au/AlGaN接触的肖特基势垒高度进行了标定,其势垒高度高达1.08eV,更适合在高压、大电流条件下工作.
- 邵庆辉叶志镇黄靖云赵炳辉江红星林景瑜
- 关键词：ALGAN肖特基势垒二极管势垒高度
- AlGaN/GaN基HEMT器件的研究进展(英文)被引量：2
- 2003年
- 由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率晶体管是目前最适合应用于微波大功率放大领域的器件。着重对影响高频大功率AlGaN/GaN性能的材料结构和器件制作进行了阐述。
- 邵庆辉李蓓叶志镇
- 关键词：电子迁移率晶体管二维电子气
- GaN基器件中的欧姆接触被引量：4
- 2003年
- GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料。欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一。着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状。
- 邵庆辉叶志镇黄靖云
- 关键词：氮化镓欧姆接触接触电阻率半导体材料发光器件微波器件
