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段双亮

作品数：10 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 7篇功率器件
  • 7篇半导体
  • 7篇半导体功率器...
  • 4篇元胞
  • 3篇外延层
  • 3篇消费电子
  • 2篇单晶
  • 2篇电极
  • 2篇终端
  • 2篇终端设计
  • 2篇金属
  • 2篇金属电极
  • 2篇金属连线
  • 2篇开关速度
  • 2篇寄生电容
  • 2篇高压功率器件
  • 2篇高压器件
  • 2篇横向功率器件
  • 2篇BCD
  • 1篇导电类型

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇段双亮
  • 8篇乔明
  • 8篇张波
  • 6篇蒋苓利
  • 5篇傅达平
  • 5篇罗波
  • 4篇胡曦
  • 3篇钟博
  • 2篇赖力
  • 2篇叶俊
  • 2篇庄翔
  • 1篇王明石
  • 1篇赵磊
  • 1篇宋晓贞
  • 1篇刘清涛
  • 1篇李珂
  • 1篇陈波

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2008
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于乘法器的功率因数校正芯片研究与设计
近几十年来，随着电力电子技术高速发展，用电设备大范围的应用，耗电量的快速增长，电能利用效率和质量越来越受到人们的关注，对此有些组织和国家提出了相关标准，与之相应的功率因数校正技术也取得了较大发展，很多国内外公司因此推出了...
段双亮
关键词：电路设计乘法器
一种BCD器件及其制造方法
一种BCD器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中，高压nLIGBT、nLDMOS和低压NP...
乔明段双亮罗波蒋苓利傅达平张波
文献传递
基于电流模式的分段补偿电压基准源被引量：1
2011年
设计了一种基于电流模式的电压基准源,基准电压值可灵活调节,范围达几百毫伏到几伏。提出了一种实现形式简单、可扩展性强的新型分段补偿电流产生电路。在-40℃～135℃温度范围内,加入一路分段补偿电流能使电压基准源的温度系数从3×10-5/℃降为2.8×10-6/℃;加入两路补偿电流,得到的温度系数为6×10-7/℃。分段补偿电流对电压基准源的温度特性提升效果明显。
钟博宋晓贞段双亮张波
关键词：电流模式电压基准源温度系数
一种高压功率器件结构
一种高压功率器件结构，属于半导体功率器件技术领域。所述高压功率器件结构的重复单元结构包括2N个器件元胞、第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极为条状结构，具有X个金属引出端；2N个器件元胞平均分成两排，分别位于第一金属...
乔明段双亮钟博胡曦庄翔赖力张波
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
一种高压功率器件结构
一种高压功率器件结构，属于半导体功率器件技术领域。所述高压功率器件结构的重复单元结构包括2N个器件元胞、第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极为条状结构，具有X个金属引出端；2N个器件元胞平均分成两排，分别位于第一金属...
乔明段双亮钟博胡曦庄翔赖力张波
文献传递
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
文献传递
一种BCD器件及其制造方法
一种BCD器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中，高压nLIGBT、nLDMOS和低压NP...
乔明段双亮罗波蒋苓利傅达平张波
一种高压半导体器件及其制造方法
一种高压半导体器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有的具有降场层结构的横向高压DMOS器件结构基础上，在场氧化层(7)和第一导电类型半导体降场层(3)之间增加了一层第二导电类型半导体外延层(5)，同时...
乔明段双亮蒋苓利傅达平罗波张波
文献传递
单晶型700V高压LDMOS优化设计
本文对单晶型700V高压LDMOS进行了优化设计。通过分析影响击穿电压的各种因素，以BCD工艺为基础，借助二维数据模拟软件MEDICI对具有Double-REsURF和场板结构的LDMOS进行模拟优化设计，得到了击穿电压...
段双亮乔明蒋苓利赵磊陈波李珂王明石刘清涛
关键词：击穿电压场板结构优化设计
文献传递
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