潘孝军
- 作品数：14 被引量：43H指数：5
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>
- 溅射制备纳米晶GaN∶Er薄膜的室温发光特性被引量：6
- 2008年
- 利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为5·8nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6—8nm之间;紫外可见谱结果表明在500—700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为3·22eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3+离子在554nm处的强烈绿光发射.
- 潘孝军张振兴王涛李晖谢二庆
- 关键词：光学带隙光致发光
- 溶胶-凝胶法制备K-N共掺ZnO薄膜的结构及光学特性被引量：6
- 2013年
- 采用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上生长了K与N共掺的ZnO薄膜,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜样品的结构和光学特性进行了研究。结果表明,溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜为六方纤锌矿结构。随着K掺杂浓度的增大,薄膜的结晶性变好,组成薄膜的颗粒变大,并表现出c轴择优生长特性,同时掺杂导致的氧空位缺陷也在增加,使得绿光发射增强,薄膜的光学带隙先增后减。
- 张振兴张海军廖梦舟周华谢二庆潘孝军
- 关键词：ZNO薄膜光学带隙
- Ti/TiO_2包覆ZnO:Tb纳米纤维的光学性质被引量：1
- 2014年
- 用电纺丝方法制备了ZnO:Tb纳米纤维.用X-射线衍射、Raman光谱对其形貌做了表征.结果显示,ZnO:Tb纳米纤维为六方纤锌矿结构,Tb掺杂对ZnO的结晶性有影响.利用表面等离激元,通过对纳米纤维表面包覆金属Ti和TiO_2,比较了其光致发光谱,得到在325 nm激发下ZnO:Tb纳米纤维中稀土发光效率低的原因是ZnO和Tb之间不能进行有效的能量传递;包覆TiO_2后能提高稀土发光效率.
- 毛延哲刘延霞李健李晖潘孝军谢二庆
- 关键词：ZNO电纺丝表面等离激元
- 溅射法制备a-GaN薄膜的光学性质
- 2006年
- 利用直流磁控溅射方法制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜.X射线衍射分析以及傅里叶变换红外吸收谱表明薄膜是非晶结构.通过紫外-可见光谱测量得到,样品随着衬底温度的升高而变厚,光学带隙随着衬底温度的升高而变小,Ar对薄膜的光学带隙和表面粗糙程度有很大的影响.
- 贾璐谢二庆潘孝军张振兴
- 关键词：光学带隙
- 非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性被引量：1
- 2006年
- 采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.
- 张振兴谢二庆潘孝军贾璐韩卫华
- 关键词：非晶GAN
- 溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光
- 2006年
- 用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的.发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系,在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.
- 蒋然谢二庆贾昌文林洪峰潘孝军李晖
- 关键词：光致发光能量转换溅射
- 溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能被引量：6
- 2009年
- 采用直流磁控溅射方法在不同的氩气-氮气(Ar-N2)气氛中制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜.X射线衍射分析(XRD)和拉曼光谱(Raman)表明薄膜具有非晶结构.通过椭偏光谱(SE)得到薄膜的折射率和厚度都随着氩气分量的增多而增大.紫外—可见光谱(UV-Vis)的测量得到,当氩气分量R,即Ar/(Ar+N2),为0%时,薄膜的光学带隙为3.90eV,比晶体GaN(c-GaN)的较大,这主要是由非晶结构中原子无序性造成的;而当R增大时(10%—40%),薄膜的光学带隙降低为2.80—3.30eV,这可能是由于薄膜中存在未成键Ga原子引起的.对吸收带尾进行了拟合,得到在高能量和低能量范围的带尾态特征能量分别为0.257—0.338eV和1.44—1.89eV,表明a-GaN具有比c-GaN更宽的带尾态.在室温光致发光(PL)谱中,360nm处的发光峰来源于带间发射.
- 贾璐谢二庆潘孝军张振兴
- 关键词：溅射光学带隙
- 自支撑碳基柔性超级电容器电极材料研究进展被引量：1
- 2022年
- 为了驱动柔性电子设备和传感器工作,急需探索具有高电化学性能和优异力学性能的柔性超级电容器。自支撑电极在柔性超级电容器中起着至关重要的作用。独立自支撑碳基电极因其高导电性、重量轻、孔隙率可调、表面积可调、易于功能化和优异的力学性能而被广泛应用于柔性超级电容器。此外,碳基电极还具有来源丰富,成本低廉等优势。本综述系统总结了基于各种炭材料的独立自支撑碳基电极在柔性超级电容器中的最新进展,并讨论了独立自支撑碳基电极在柔性超级电容器商业化过程中的挑战和未来机遇。
- 赵一蓉刘聪聪卢琼琼OMAR Ahmad潘孝军MIKHAILOVA Daria
- 关键词：炭材料赝电容
- 火焰喷雾法合成ZnO和Mg_xZn_(1-x)O纳米颗粒的光学性能研究被引量：8
- 2007年
- 利用火焰喷雾法成功制备了纳米级的ZnO和MgxZn1-xO颗粒.通过对样品的X射线衍射谱和场发射扫描电子显微镜照片分析,发现制备的颗粒大小较为均匀,直径在20nm左右;镁元素的掺入引起晶格常数变小.通过透射光谱和光致发光谱的测量,发现MgxZn1-xO颗粒的禁带宽度远大于ZnO颗粒的禁带宽度,同时对两组样品的紫外发光和可见发光的强度变化和发光机理进行了探讨.
- 李晖谢二庆张洪亮潘孝军张永哲
- 关键词：ZNO禁带宽度
- 铽掺杂纳米晶GaN薄膜的室温可见发光被引量：5
- 2008年
- 利用直流磁控反应式共溅射方法制备了GaN∶Tb薄膜。XRD结果显示,该薄膜为纳米晶结构,根据Scherrer公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为4.8 nm;紫外可见谱表明在可见光区薄膜的平均透过率大于75%,同时利用Tauc公式计算得到了薄膜的光学带隙为3.07 eV;测量了薄膜的室温光致发光谱,获得了Tb3+在可见光区(位于497.0,552.4,594.2以及627.8 nm)的本征发光。
- 王涛潘孝军张振兴李晖谢二庆
- 关键词：反应溅射光致发光稀土
