李晖
- 作品数：9 被引量：29H指数：4
- 供职机构：酒泉卫星发射中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- Ti/TiO_2包覆ZnO:Tb纳米纤维的光学性质被引量：1
- 2014年
- 用电纺丝方法制备了ZnO:Tb纳米纤维.用X-射线衍射、Raman光谱对其形貌做了表征.结果显示,ZnO:Tb纳米纤维为六方纤锌矿结构,Tb掺杂对ZnO的结晶性有影响.利用表面等离激元,通过对纳米纤维表面包覆金属Ti和TiO_2,比较了其光致发光谱,得到在325 nm激发下ZnO:Tb纳米纤维中稀土发光效率低的原因是ZnO和Tb之间不能进行有效的能量传递;包覆TiO_2后能提高稀土发光效率.
- 毛延哲刘延霞李健李晖潘孝军谢二庆
- 关键词：ZNO电纺丝表面等离激元
- 衬底温度和氮气分压对氮化锌薄膜的性能影响(英文)被引量：1
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在不同衬底温度和不同氮气分压下在石英玻璃衬底上制备氮化锌薄膜.利用XRD和喇曼散射仪分析了样品的晶体结构和组成.结果表明当氮气分压为1/2时可以生成多晶单一相的氮化锌薄膜.利用霍尔效应和光学透过谱测量了样品的电学和光学性质.结果表明衬底温度对样品的电学和光学性质有很大的影响.衬底温度从100℃上升到300℃时,样品的电阻率从0.49降低到0.023Ω.cm.电子浓度从2.7×1016升高到8.2×1019cm-3.在衬底温度为200℃,氮气分压为1/2时,样品的光学带隙为1.23eV.
- 张军谢二庆付玉军李晖邵乐喜
- 关键词：射频溅射光电性质
- 溅射制备纳米晶GaN∶Er薄膜的室温发光特性被引量：6
- 2008年
- 利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为5·8nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6—8nm之间;紫外可见谱结果表明在500—700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为3·22eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3+离子在554nm处的强烈绿光发射.
- 潘孝军张振兴王涛李晖谢二庆
- 关键词：光学带隙光致发光
- 火焰喷雾法合成ZnO和Mg_xZn_(1-x)O纳米颗粒的光学性能研究被引量：8
- 2007年
- 利用火焰喷雾法成功制备了纳米级的ZnO和MgxZn1-xO颗粒.通过对样品的X射线衍射谱和场发射扫描电子显微镜照片分析,发现制备的颗粒大小较为均匀,直径在20nm左右;镁元素的掺入引起晶格常数变小.通过透射光谱和光致发光谱的测量,发现MgxZn1-xO颗粒的禁带宽度远大于ZnO颗粒的禁带宽度,同时对两组样品的紫外发光和可见发光的强度变化和发光机理进行了探讨.
- 李晖谢二庆张洪亮潘孝军张永哲
- 关键词：ZNO禁带宽度
- 溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光
- 2006年
- 用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的.发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系,在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.
- 蒋然谢二庆贾昌文林洪峰潘孝军李晖
- 关键词：光致发光能量转换溅射
- 铽掺杂纳米晶GaN薄膜的室温可见发光被引量：5
- 2008年
- 利用直流磁控反应式共溅射方法制备了GaN∶Tb薄膜。XRD结果显示,该薄膜为纳米晶结构,根据Scherrer公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为4.8 nm;紫外可见谱表明在可见光区薄膜的平均透过率大于75%,同时利用Tauc公式计算得到了薄膜的光学带隙为3.07 eV;测量了薄膜的室温光致发光谱,获得了Tb3+在可见光区(位于497.0,552.4,594.2以及627.8 nm)的本征发光。
- 王涛潘孝军张振兴李晖谢二庆
- 关键词：反应溅射光致发光稀土
- 溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能被引量：3
- 2007年
- 利用直流磁控溅射方法制备了GaN薄膜.X射线衍射及Raman光谱结果表明薄膜样品为非晶结构;傅立叶红外光谱表明薄膜样品的主要吸收峰为Ga-N键的伸缩振动;光致发光测试得到了360nm处的紫外发光谱;测量薄膜样品的紫外-可见谱,并利用Tauc公式计算得到样品的光学带隙为3.74eV,这与光致发光谱得到的结果是一致的.
- 潘孝军张振兴贾璐李晖谢二庆
- 关键词：溅射制备光学性能
- 原位氧化Zn_3N_2制备p型ZnO薄膜的性能研究被引量：5
- 2007年
- 采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术,研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响.研究结果显示,450℃下氧化2h后的样品中除含有ZnO外,还有Zn3N2成分,500℃下氧化2h可以制备出电阻率为0.7Ωcm,空穴载流子浓度为1017cm-3,空穴迁移率为0.9cm2/Vs的具有c轴择优取向的p型ZnO薄膜.此时的ZnO薄膜具有良好的光学特性,紫外可见光范围内透过率为85%,处于紫外区域的激子复合产生的发光峰很强,且半高宽较窄,而处于可见光部分来自于深能级发射的绿色发光峰很弱.这种工艺制备的ZnO薄膜质量较好,有利于实现在短波长光电器件方面的应用.
- 张军谢二庆付玉军李晖邵乐喜
- 关键词：P型ZNO薄膜射频溅射
- ZnO纳米颗粒的分散及光致发光特性被引量：2
- 2013年
- 利用火焰喷雾法成功制备了ZnO纳米颗粒,通过对样品的X射线衍射谱(XRD)和场发射扫描电子显微照片(FESEM)分析,发现制备的颗粒大小较为均匀,直径在10～20nm左右;结合多种物理方法对样品进行分散处理后,FESEM表征显示颗粒间的团聚得到较好改善;光致发光谱表明随着颗粒尺寸的减小,样品的紫外发光和可见发光的强度逐渐增强.
- 李晖刘运张方辉谢二庆
- 关键词：光致发光ZNO
