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焦玉恒

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光谱
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇激射
  • 2篇光谱
  • 2篇发光
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇INP基
  • 1篇砷化镓
  • 1篇量子点材料
  • 1篇量子器件
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇红外
  • 1篇红外波段
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇INAS
  • 1篇INGAAS...

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇焦玉恒
  • 3篇王占国
  • 2篇汤晨光
  • 2篇杨新荣
  • 1篇任芸芸
  • 1篇吴巨
  • 1篇金鹏
  • 1篇梁凌燕

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱
2007年
制备了InP基近红外波段量子线激光器,在改变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现;随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.认为激光器随注入电流的增加表现出的这种特殊的激射谱,是由自组织纳米结构尺寸的不均匀分布引起的.
杨新荣徐波王占国任芸芸焦玉恒梁凌燕汤晨光
关键词:INP基激光器
InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱研究
制备了InP基近红外波段量子线激光器,在变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现.随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.经分析认为,所制备的激...
杨新荣徐波王占国任云云焦玉恒梁玲燕汤晨光
关键词:INP基红外波段电致发光谱
文献传递
分子束外延生长InAs/InGaAs/GaAs长波长量子点
应变异质结构InAs/GaAs材料体系在基础研究和实际应用方面都有十分重要的意义。InAs/GaAs自组织量子点是实现GaAs基光纤通信用1.3μm波段激光器的重要材料体系,在实现更长波长,甚至1.55μm波段也具有很大...
焦玉恒
关键词:量子点
一种量子点材料结构及其生长方法
本发明公开了一种量子点材料结构,该结构包括:用于支撑整个量子点材料结构的砷化镓GaAs衬底(10);在GaAs衬底(10)上生长的外延层结构,包括缓冲层(11、12、13)和InAs量子点层(14);其中,所述缓冲层包括...
焦玉恒吴巨徐波金鹏王占国
文献传递
共1页<1>
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