汤晨光
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱
- 2007年
- 制备了InP基近红外波段量子线激光器,在改变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现;随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.认为激光器随注入电流的增加表现出的这种特殊的激射谱,是由自组织纳米结构尺寸的不均匀分布引起的.
- 杨新荣徐波王占国任芸芸焦玉恒梁凌燕汤晨光
- 关键词：INP基激光器
- 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm-3,采用氮空位作为背景载流子起源的模型解释了随厚度增加载流子浓度的减小与迁移率的增大.光致发光峰随温度的S形非单调变化表明材料中的局域态参与了光学跃迁过程,结合局域态发光和能带收缩效应计算得到样品的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,指出较厚样品中缺陷态的减少是载流子局域化效应削弱的原因.
- 张曾张荣谢自力刘斌修向前李弋傅德颐陆海陈鹏韩平郑有炓汤晨光陈涌海王占国
- 关键词：氮化铟位错局域态
- Ⅲ-Ⅴ族低维半导体材料偏振相关的光学性质
- 半导体量子阱材料中的结构反演不对称性会产生平面光学各向异性和自旋轨道耦合效应，通过外场或结构设计控制材料的反演不对称性，不仅可以做到对平面光学各向异性的主动控制，而且还能改变自旋轨道耦合的强弱进而达到操控电子自旋输运性质...
- 汤晨光
- InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱研究
- 制备了InP基近红外波段量子线激光器,在变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现.随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.经分析认为,所制备的激...
- 杨新荣徐波王占国任云云焦玉恒梁玲燕汤晨光
- 关键词：INP基红外波段电致发光谱
- 文献传递
- III-V族低维半导体材料偏振相关的光学性质
- 汤晨光
- 关键词：自旋电子学自旋轨道耦合
