王宗富
- 作品数：9 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 高次谐波声体波谐振器
- 1996年
- 简要介绍了高次谐波声体波谐振器的独特优越性和发展概况。用有关高次谐波声体波谐振器的设计理论进行了设计。报道了对高次谐波声体波谐振器的实验研究，给出了超高频和Ｌ波段高Ｑ值高次谐波声体波谐振器的实验结果。
- 王宗富刘岳穗周勇陈运祥汪渝
- 关键词：声体波高次谐波谐振器薄膜换能器Q值微波
- 微波延迟线用大功率ZnO薄膜换能器
- 杨龙共王宗富
- 关键词：延迟线薄膜换能器氧化锌换能器
- 2μs低损耗声体波微波延迟线被引量：5
- 2010年
- 通过优化换能器拓扑结构,探索长延时传声介质的双面光刻及探针提取S参数进行网络匹配等技术,改进了声体波微波延迟线换能器设计及制作工艺。研制出中心频率为4.3 GHz,带宽为200 MHz,延迟时间为1.999 7μs,插入损耗仅26 dB,直通抑制45 dB,3次渡越抑制42 dB的声体波微波延迟线。
- 朱昌安郑泽渔李世红汤劲松周勇王宗富米佳刘玲
- 关键词：低损耗声体波延迟线
- C波段超短延时声体波延迟线被引量：1
- 1997年
- 叙述了超短延时声体波微波延迟线的设计和制作。制作了工作频率４．２ＧＨｚ，延迟时间分别为５０ｎｓ和７０ｎｓ的器件。
- 周小平王宗富陈运祥刘岳穗周勇
- 关键词：声体波微波延迟线
- 倍频程宽带声体波微波延迟线被引量：3
- 2004年
- 报道了采用 Zn O压电薄膜换能器设计制作倍频程宽带声体波微波延迟线和实际结果。工作频率 2～6 GHz,延时 0 .2 μs,插入损耗波动≤ 6 d
- 周小平王宗富陈运祥周勇刘光耀
- 关键词：声体波微波延迟线宽带
- Ta_2O_5膜压电效应研究
- 1991年
- 本文报道了新型Ta_2O_5压电膜的制备方法及其工艺技术。用×轴垂直取向性Ta_2O_5压电膜制作出了声表面波(SAW)延迟线及滤波器。并给出了相应的实验结果。
- 陈运祥杨龙其周勇王宗富何大珍
- 关键词：压电效应声表面波器件
- 声体波谐振器压控振荡器被引量：3
- 2011年
- 声体波谐振器(FBAR)压控振荡器(VCO)技术探讨了高品质因数Q谐振器并实现宽频率调谐难题,完成了声体波谐振器MBVD模型参数建立、电路的选择与布局,以及最优化的设计与制作,尽量消除了FBAR与IC之间的引线产生的影响,克服了频率调整问题。研制了中心频率2.1GHz的VCO振荡器,研究结果表明,其输出功率为5～10dBm,调谐范围为2.044‰,边带相噪为-143dBc/1Hz@1MHz。
- 王宗富郑泽渔杨正兵朱昌安田亚睿
- 关键词：声体波谐振器
- ZnO压电薄膜双面共溅生长技术被引量：2
- 2010年
- 在只有一个靶源的情况下,利用改良的夹具,在钇铝石榴石(YAG)晶体的两端用反应磁控溅射法同时溅射生长ZnO压电薄膜。对ZnO压电薄膜做了X-射线衍射(XRD)分析,测试了用双面方法制作的声体波薄膜换能器的回波损耗。结果表明,采用双面共溅工艺生长ZnO压电薄膜有效地解决了第一端换能器压电性能退化的问题,提高了两端换能器压电性能的一致性,提高了生产效率。
- 郑泽渔汤劲松朱昌安周勇王宗富
- 关键词：氧化锌压电薄膜溅射声体波
- 声表面波卷积器/存储相关器用ZnO膜的制备
- 1992年
- 本文介绍了声表面波(SAW)卷积器/存储相关器用优质氧化锌(ZnO)压电膜的制备方法。用平面磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出了激励SAW西沙瓦模式的优质ZnO膜。用同轴磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出的优质ZnO膜制作ZnO/Si单片式SAW卷积器,使该器件性能进一步改善,同时给出了相应的实验结果。
- 陈运祥杨龙其王宗富
- 关键词：声表面波器件卷积器
