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王岩

作品数:20 被引量:88H指数:5
供职机构:南开大学电子信息与光学工程学院现代光学研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划天津市科技支撑重点项目国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学机械工程电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 9篇理学
  • 6篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇微晶硅
  • 3篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇毒品
  • 2篇延迟发光
  • 2篇英文
  • 2篇微晶硅薄膜
  • 2篇稳定性
  • 2篇光谱
  • 2篇光稳定性
  • 1篇毒品检测
  • 1篇对焦
  • 1篇血清
  • 1篇血清白蛋白
  • 1篇仪器
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光光谱
  • 1篇折变
  • 1篇施密特

机构

  • 13篇南开大学
  • 2篇河北工业大学
  • 2篇首都医科大学...
  • 1篇天津市光电子...
  • 1篇天津市公安局

作者

  • 13篇王岩
  • 6篇林列
  • 6篇陈平
  • 5篇刘伟伟
  • 5篇赵颖
  • 5篇耿新华
  • 3篇张晓丹
  • 3篇朱锋
  • 3篇薛俊明
  • 3篇任慧志
  • 3篇韩晓艳
  • 3篇孙建
  • 2篇张光寅
  • 2篇杨曦
  • 2篇郭群超
  • 2篇魏长春
  • 2篇侯国付
  • 2篇黄自恒
  • 2篇刘宏德
  • 2篇陈绍林

传媒

  • 4篇光电子.激光
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇光学学报
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2014
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2002
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料(英文)
2005年
本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果。实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变。通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料。将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能。
侯国付郭群超王岩薛俊明任慧志宋建张晓丹赵颖耿新华李以钢
关键词:微晶硅太阳电池
甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究被引量:15
2005年
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密度有很大的影响 ,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著 .对于微晶硅电池 ,N层最好是非晶硅 ,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应 ,另一方面也降低了电池的漏电概率 ,提高了电池的填充因子 .
张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春魏长春孙建王岩熊绍珍
关键词:微晶硅薄膜太阳电池
P型微晶硅材料及在薄膜太阳电池上的应用被引量:4
2005年
采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电导率先增大,后减小;薄膜的透过率随功率的增大而增加。将获得的P型微晶硅薄膜应用在微晶硅薄膜太阳电池中,电池结构为glass/p-μc-Si:H/I-μc-Si:H/n-μc-Si:H/A l,厚度约1μm,没有背反射电极的情况下,电池效率达到了7.32%(Voc=0.520V,Jsc=21.33mA/cm2,FF=64.74%)。
朱锋魏长春张晓丹高艳涛孙建王岩韩晓艳赵颖耿新华
关键词:微晶硅太阳电池
器件质量级微晶硅薄膜光稳定性研究被引量:8
2006年
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,通过改变SiH4浓度制备了一系列不同晶化率(Xc)的本征Si薄膜材料。通过测量其Raman谱和光、暗电导率(σph、σd)研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微观结构的关系,然后对样品进行老化实验,测量其光照前后的吸收系数α及量子效率、迁移率和寿命的乘积nμτ。分析其光照前后光电性能的变化规律结果表明,相变域附近的微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料适合制备μc-Si:H太阳电池;结合退火实验的结果发现,μc-Si∶H材料中的非晶成分是导致微晶材料光电特性衰退的主要原因。
韩晓艳王岩薛俊明赵书文任慧志赵颖李养贤耿新华
关键词:稳定性
优良全息光折变存储材料—双掺铌酸锂晶体被引量:13
2002年
我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体 ,通过光折变存储性能的测试 ,在这些晶体中 ,我们发现了三种双掺晶体 :LN :Fe ,Mg ;LN∶Fe ,In ;LN∶Fe,Zn ,它们具有优良的光折变存储性能 ,即高衍射效率 (高达 6 0~ 80 %)、快光折变响应 (比LN∶Fe晶体缩短了一个数量级 )、和强抗光散射能力 (比LN∶Fe提高近两个数量级 )。我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系 ,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值 ,从而提出了最佳写入光强的概念。另外 ,全息光栅热固定研究还显示 ,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质 :快固定时间、高固定效率、长固定寿命等。
孔勇发许京军李冠告黄自恒陈绍林李兵陈云琳张玲刘士国阎文博刘宏德王岩孙骞张心正张国权黄晖张万林张光寅
关键词:光折变光存储
基于离焦深度法的自动对焦光路设计被引量:2
2019年
基于离焦深度法设计了自动对焦光路,光路由激光光源,准直扩束透镜,调焦透镜,摄像头组成。使用ZEMAX软件模拟了对焦过程,通过控制调焦透镜的位置获取光斑半径,计算对焦位置。移动调焦透镜,分别在距离对焦目标5.62 cm,7.38 cm,14.02 cm,16.88 cm,20.94 cm处得到了弥散光斑的直径。计算得到的误差在1 mm以内。基于此,实际搭建了对焦光路并进行模拟。采用位移滑轨模拟透镜的变焦运动,由摄像头获取物面上的激光斑点,通过MATLAB编程来快速获得光斑直径的之间的比例。结果显示,对焦结果误差在1 cm以内,考虑到导轨读数存在误差,摄像头像素有限,激光功率不稳定等原因,虽然实际结果与理论模拟之间存在差异,但证实了此方法的可行性。后续工作将用位移平台替换手动滑轨,编程精密控制透镜的移动位置,实现自动对焦。研究工作为改进本课题组已经开发的便携式高灵敏毒品荧光检测系统提供技术参考。
王岩胡超陈平杨嘉文刘伟伟林列
关键词:自动对焦
用于光谱仪消像差的施密特校正板设计
2019年
基于施密特系统的基本原理,设计了一种用于光谱仪消像差的施密特校正板,得到了该校正板的面形方程和面形图。利用ZEMAX软件模拟和分析了加入施密特校正板前后光谱仪系统的成像特性。结果表明:波长为350,550,700nm时,原始光谱仪像面点斑的均方根(RMS)半径分别为515.843,563.074,885.820μm,而带有施密特校正板光谱仪像面点斑的RMS半径分别为287.441,252.774,511.816μm。施密特校正板使点斑尺寸在波长为350,550,700nm时,分别缩小了44.28%、55.11%、42.23%。所提出的施密特校正板设计方法为改善光谱仪的分辨率提供了技术参考。
王岩付璐陈平刘希芸刘伟伟林列
关键词:仪器像差光谱仪
延迟发光技术检测血清中的痕量毒品被引量:1
2018年
毒品滥用及毒品犯罪对国家公共安全构成严重的威胁,禁毒已成为全世界的共识。快速、灵敏的毒品检测技术为禁毒工作的顺利开展提供有力保障。本文探讨了利用延迟发光技术检测血清中痕量毒品的可行性。测量了血清、含有冰毒的血清和含有海洛因的血清的延迟发光衰减曲线,并得到了每个样本本征的发光寿命。结果显示,血清的发光寿命为38.4ms,而含有1×10^(-5)mol/L冰毒的血清和含有1×10^(-5) mol/L海洛因的血清的发光寿命分别为14.2ms和11.9ms。在此基础上,以冰毒为例,得到了不同浓度的冰毒与血清混合样本的发光寿命,建立了发光寿命与冰毒浓度的对应关系,实现了血清中冰毒浓度的定量计算。这说明本征的发光寿命对血清中含有的毒品具有灵敏的指示作用,延迟发光技术可以成为检测血清中痕量毒品的一种新方法。
周晓迪王岩陈平刘伟伟林列刘桂英杨曦苏瑛
关键词:毒品检测延迟发光血清
甲基苯丙胺与血清白蛋白相互作用的光谱表征被引量:3
2018年
采用荧光光谱和分子对接模拟研究了甲基苯丙胺与牛血清白蛋白(BSA)之间的相互作用,发现甲基苯丙胺对BSA的荧光有明显的猝灭作用.采用分子对接的方法模拟了甲基苯丙胺与BSA的分子动力学过程.结果显示,甲基苯丙胺可能与BSA中具有内源荧光特性的色氨酸和苯丙氨酸通过静电引力发生相互作用.利用荧光光谱进一步研究了甲基苯丙胺与氨基酸的相互作用.发现甲基苯丙胺对两种氨基酸的荧光都产生了明显的猝灭作用.研究结果表明,由于静电引力的作用,甲基苯丙胺与BSA发生了结合,结合位点是BSA中的色氨酸和苯丙氨酸.
王岩陈平王云飞刘桂英杨曦苏瑛李君旸刘伟伟林列
关键词:甲基苯丙胺血清白蛋白荧光光谱分子对接
近化学计量比掺镁铌酸锂晶体的抗光折变性能(英文)被引量:3
2004年
应用气相传输平衡技术 ,我们获得了 3种近化学计量比掺镁铌酸锂晶体 ,晶体的掺镁量接近我们以前提出的第二阈值。在我们实验室所能达到的最大光强 2 6MW/cm2 照射下 ,在所有近化学计量比掺镁铌酸锂晶片中没有观察到光斑畸变 ,该光强比同成分铌酸锂晶体所能承受的光强高 6个量级 ,为目前已报道的铌酸锂晶体之最。应用双光束全息写入法测得掺 1.0mol%Mg近化学计量比铌酸锂晶体的光折变饱和值仅有 4 .6× 10 -7,比同成分铌酸锂晶体小两个量级 ,从已有实验数据推测 ,该晶体的抗光折变能力应当比同成分铌酸锂晶体高 9个量级以上。
孔勇发许京军刘宏德王岩阎文博谢翔黄自恒陈绍林张光寅
关键词:近化学计量比
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