王新华
- 作品数：12 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
- 一种用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层；3)升高衬底的温度；4)在氮化层上生长一层成核层，...
- 王保柱王晓亮王晓燕王新华肖红领王军喜刘宏新
- 文献传递
- 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统
- 本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统，该系统包括：配气单元，用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体，并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体；加热单元，用于控制测试温...
- 王晓亮王新华冯春王保柱马志勇王军喜胡国新肖红领冉军学王翠梅
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- 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
- 一种用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层；3)升高衬底的温度；4)在氮化层上生长一层成核层，...
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- AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究被引量：2
- 2008年
- 研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于CO的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的CO的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通入1%CO前后器件的肖特基势垒高度的变化和灵敏度随电压的分布关系.结果表明,器件的灵敏度强烈依赖于器件的工作温度和通入的气体浓度,随着温度和浓度的增加,器件的灵敏度呈单调增加,器件在100℃空气气氛中表现出了良好恢复性能.
- 冯春王晓亮王新华肖红领王翠梅胡国新冉军学王军喜
- 关键词：ALGAN/GANCO传感器
- AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能被引量：1
- 2007年
- 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.
- 王新华王晓亮肖红领王翠梅冉军学罗卫军王保柱冯春杨翠柏马志勇胡国新曾一平李晋闽
- 关键词：肖特基二极管势垒高度
- AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器被引量：6
- 2008年
- 通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.
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- 关键词：GAN气体传感器肖特基二极管
- GaN基气体传感器材料与器件研究
- GaN基气体传感器是第三代宽带隙半导体材料与传感器研究相互交叉形成的一个崭新的研究领域。GaN材料具有禁带宽度大、击穿电场强、声波速度快、电子饱和速度大以及良好的化学稳定性等优点，可应用在高温、强辐射等恶劣环境下;基于G...
- 王新华
- 关键词：气体传感
- 蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长被引量：2
- 2006年
- 利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度分布比较均匀.InAlGaN(0002)三晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为4·8′.通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑,测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为2·2nm.利用光电导谱测量InAlGaN的带隙为3·76eV.
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- 关键词：RF-MBERHEEDAFM
- 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统
- 本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统，该系统包括：配气单元，用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体，并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体；加热单元，用于控制测试温...
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- 生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响
- 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜.研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InalGaN薄...
- 王保柱刘宏新李晋闽王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王翠梅冉军学王军喜
- 关键词：射频等离子体分子束外延生长温度
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