肖红领
- 作品数：153 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学经济管理更多>>
- 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温成核层制作在衬底的上面；一氮化镓高阻层制作在低温成核层的上面；一铟镓氮插入层制作在氮化镓高阻层的上面；一低温氮化镓隔离层制作在铟镓氮插入层的上面；一高迁移率氮化镓层...
- 王晓亮唐健肖红领王翠梅冉学军胡国新李晋敏
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- 一种垂直型氮化镓功率开关器件及其制备方法
- 本申请公开了一种垂直型氮化镓功率开关器件及其制备方法，该开关器件包括：衬底a；N型重掺杂氮化镓层b；电流窗口层c；非故意掺杂高迁移率氮化镓层d；氮化铝插入层e；非有意掺杂铝镓氮势垒层f；欧姆接触源极Source；欧姆接触...
- 王晓亮肖红领李百泉王权冯春殷海波姜丽娟邱爱芹崔磊介芳
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- 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法
- 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法，其特征在于，包括如下步骤：先将衬底升温进行高温除气，在升温过程中一直开着In炉以防止在衬底表面形成SiN<Sub>x</Sub>；再将衬底降温，关闭铟炉，开启铝炉5～30秒，在衬底表...
- 张南红王晓亮曾一平肖红领王军喜刘宏新李晋闽
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- 蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长
- 2007年
- 采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.INN(0002)X射线双晶衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18;原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为18.618nm;Hall测量得到的InN薄膜的室温背景电子浓度为1.08×1019cm-3,相应的迁移率为696cm2/(V·s).
- 肖红领王晓亮杨翠柏胡国新冉军学王翠梅张小宾李建平李晋闽
- 关键词：氮化铟MOCVD迁移率
- 基于ALGAN/GAN异质结的新型电力电子器件研究
- 随着新一代电力电子系统对电力电子器件提出了越来越高的要求，基于GAN材料的新型电力电子器件逐渐成为当前世界上的研究热点。本文对GAN基新型电力电子器件的研究意义和现状进行了评述，同时还介绍了我们组几年来在该领域所取得的一...
- 肖红领王晓亮王翠梅姜丽娟林德峰康贺王占国侯洵
- 关键词：GAN电力电子
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- 一种制备稀磁半导体薄膜的方法
- 本发明公开了一种制备稀磁半导体薄膜的方法，该方法包括：选择一III族氮化物半导体薄膜材料；在该半导体薄膜材料表面采用双能态离子注入法注入稀土金属离子；将注入稀土金属离子后的样品送入快速退火炉在氮气氛中退火。利用本发明，获...
- 王晓亮姜丽娟刘超肖红领冉军学王翠梅
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- 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
- 本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮...
- 王晓亮张明兰肖红领王翠梅唐健冯春姜丽娟
- 过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较
- 2008年
- 实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂的GaN样品在掺杂浓度远低于过渡族Mn、Cr掺杂样品的情况下,仍能得到相同量级的饱和磁化强度,计算得到的Gd、Sm离子有效磁矩近似甚至大于其原子本征磁矩,而Mn、Cr的离子有效磁矩远小于其原子本征磁矩,说明在过渡族和稀土族元素掺杂的GaN基稀磁半导体中,有着两种完全不同的磁耦合机制。
- 姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵
- 关键词：稀磁半导体氮化镓离子注入快速退火
- SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件
- 2008年
- 使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。50mmHEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此材料研制的单管2mm栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/mm,跨导为460mS/mm。利用内匹配技术对两个2mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8GHz,脉冲下输出功率为34.1W,功率增益为6.1dB,功率附加效率为37.3%。
- 王晓亮陈堂胜唐健肖红领王翠梅李晋闽王占国侯洵
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率器件
- AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征
- 2008年
- 设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的Al Nb生长时间介于15~20s。对Al Nb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其2DEG迁移率在80K时达8849cm2/V.s,室温下为1967cm2/V.s,面密度始终保持在1.02×1013cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95%,说明双Al N插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。
- 肖红领王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵
- 关键词：HEMT氮化铝电学性能二维电子气
