王鹏
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究被引量：1
- 2009年
- 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束时的光电导效应使得IMD层(包括FSG和USG)在较短的时间内处于导电状态,较大电流由IMD层流经栅氧化膜,在栅氧化膜中产生缺陷,从而降低了栅氧化膜可靠性。通过对HDP CVD结束后反应腔内气体组分的调节,IMD层的光电导现象得到了一定程度的抑制,等离子充电损伤得到了改善。
- 王鹏卜皎刘玉伟曹刚石艳玲刘春玲李菲孙玲玲
- 片上螺旋电感集总模型中衬底因子的分析与拟合
- 2009年
- 石英、高阻SOI、高阻硅等衬底上实现的电感具有比低电阻率衬底的电感更优的高频性能,因而研究基于不同衬底的电感性能,并在高频模型中进行精确的衬底因子表征就显得十分重要。综合考虑高频下的趋肤效应和邻近效应及衬底电磁损耗对电感性能的影响,实现了片上螺旋电感的集总元件模型,并通过与SOI、石英衬底的电感仿真参数及高阻硅衬底的电感测试参数进行了模型验证,结果表明,该模型拟合的S参数及Q值曲线能与仿真及测试结果吻合,同时模型中衬底因子的提取值与衬底性质相符合,因而该模型适用于片上电感的模拟与设计。
- 陈大为石艳玲李曦王鹏刘婧丁艳芳
- 关键词：片上螺旋电感
