李曦
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项上海市青年科技启明星计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 40nm MOSFET性能波动分析与模型研究
- 随着CMOS技术发展至深纳米工艺级别,器件尺寸等比例缩小和电源电压持续降低引发了巨大的技术挑战。新材料和新技术取代传统CMOS制造工艺,带来了诸如多晶硅栅耗尽、漏致阈值电压漂移、邻近效应、可靠性降低、工艺波动影响增大等一...
- 李曦
- 关键词：统计模型工艺波动纳米级MOSFETSPICE
- 文献传递
- N_2O气氛退火对SONOS非易失性存储器性能的优化研究
- 2011年
- SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关。通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程中增加适当的N2O退火工艺,改善了器件的擦除深度和编程速度,从而使得SONOS器件的存储器性能得到优化。通过进一步电荷泵测试表明,电荷泵电流值Icp由1.8×10-6A减小到1.3×10-6A,减小27.8%,即隧穿氧化层与衬底之间的界面态显著减少。因此,在SONOS工艺中增加适当的N2O退火工艺,能有效地优化存储器的存储能力,提高SONOS存储性能。
- 周群林钢李曦沈国飞曹刚石艳玲
- 关键词：退火工艺界面态
- 电荷泵技术在高压MOS晶体管可靠性研究中的应用(英文)被引量：3
- 2009年
- 主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变化,为器件优化与工艺改进提供重要参考信息。
- 禹玥昀唐逸万星拱任铮胡少坚周伟李曦石艳玲
- 关键词：电荷泵热载流子注入
- 平面螺旋电感
- 本发明揭露了一种平面螺旋电感，所述平面螺旋电感的导线的宽度由内到外逐渐增加，所述导线之间的间距由内圈到外圈逐渐减小。本发明提供的平面螺旋电感与传统结构电感相比，其高频时涡流效应和临近效应影响降低，电感线圈导线的串联电阻减...
- 李曦刘婧石艳玲丁艳芳丁铨王勇陈寿面赵宇航
- 文献传递
- 隔层不交叠多层电感分析与设计
- 2011年
- 提出了一种隔层不重叠的新型结构片上螺旋电感,其实现工艺与标准CMOS多层布线技术兼容。结合螺旋电感的集总模型,利用电磁场仿真软件HFSS进行了该器件的模拟仿真,与相同结构参数和工艺参数的传统不隔层交叠多层电感相比,提出的新型电感在品质因子、自谐振频率、3dB带宽等性能参数上明显改善,其中电感品质因子提高3.5%,带宽增加65%,自谐振频率提高127%,且最大品质因子处对应的电感值达到nH量级,符合射频电路应用的需求。
- 祝文韬李小进蔡静胡少坚王勇李曦石艳玲
- 关键词：品质因子HFSS仿真损耗
- 片上螺旋电感集总模型中衬底因子的分析与拟合
- 2009年
- 石英、高阻SOI、高阻硅等衬底上实现的电感具有比低电阻率衬底的电感更优的高频性能,因而研究基于不同衬底的电感性能,并在高频模型中进行精确的衬底因子表征就显得十分重要。综合考虑高频下的趋肤效应和邻近效应及衬底电磁损耗对电感性能的影响,实现了片上螺旋电感的集总元件模型,并通过与SOI、石英衬底的电感仿真参数及高阻硅衬底的电感测试参数进行了模型验证,结果表明,该模型拟合的S参数及Q值曲线能与仿真及测试结果吻合,同时模型中衬底因子的提取值与衬底性质相符合,因而该模型适用于片上电感的模拟与设计。
- 陈大为石艳玲李曦王鹏刘婧丁艳芳
- 关键词：片上螺旋电感
- 基于SOI衬底的共平面波导射频损耗特性研究
- 随着射频电路工作频率和集成度的不断提高,常规CMOS制造中使用的低阻硅衬底具有较大的损耗和串扰,较难实现射频性能优异的器件与电路。而SOI(Silicon on Insulator,绝缘层上硅)技术以其独特的结构,克服传...
- 李曦
- 关键词：共平面波导损耗SOI射频HFSS
- 文献传递
- 一种应用于45nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型
- 2012年
- 描述了一种新的应用于45 nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型。该应力模型主要考虑了多晶硅栅极相关的两种版图效应:相邻PC(多晶硅栅)的间距、dummy PC个数。模型重新定义了MOSFET在应力作用下两个PSP模型基本参数μ0和VFB0,并且根据模型确定晶体管线性漏极电流Idlin、饱和漏极电流Idsat、线性阈值电压Vtlin和饱和阈值电压Vtsat随着以上两种版图效应的变化曲线。
- 汪明娟李曦张孟迪任铮胡少坚石艳玲
- 尺寸可变的65nm多叉指射频CMOS器件模型提取与优化
- 2011年
- 通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法。与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方法能够在14 GHz以内精确地预测器件性能。
- 任铮李曦彭兴伟胡少坚石艳玲赵宇航
- 关键词：射频
