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文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇硫掺杂
  • 1篇激活能
  • 1篇BN
  • 1篇表面电阻
  • 1篇表面电阻率
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇杨学良
  • 1篇郭清秀
  • 1篇邓金祥
  • 1篇秦扬
  • 1篇李廷
  • 1篇杨萍

年份

  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
硫掺杂氮化硼薄膜的电学性质
RF射频溅射法制备BN薄膜,使用离子注入法将S注入BN薄膜中进行掺杂,测量了掺杂前后BN薄膜的表面电阻率,并计算掺杂后BN薄膜的激活能。离子注入能量为190KeV,注入剂量在1015ions/cm2-1016ions/c...
邓金祥秦扬郭清秀李廷杨学良杨萍
关键词:BN表面电阻率激活能
共1页<1>
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