李廷
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京工业大学应用数理学院更多>>
- 发文基金：北京工业大学博士启动基金北京市自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜的制备及微结构研究
- ＜正＞氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜是一种优异的光电功能材料,在太阳能电池、薄膜晶体管和大面积液晶显示等高技术领域起着十分重要的作用。我们在其他条件一定的情况下改变衬底温度,以制备高质量的氢化非晶硅薄膜,薄膜利用红外吸收...
- 李廷邓金祥崔敏杨学良秦扬杨萍曲艳丽
- 文献传递
- 硫掺杂氮化硼薄膜的电学性质
- RF射频溅射法制备BN薄膜，使用离子注入法将S注入BN薄膜中进行掺杂，测量了掺杂前后BN薄膜的表面电阻率，并计算掺杂后BN薄膜的激活能。离子注入能量为190KeV,注入剂量在1015ions／cm2-1016ions／c...
- 邓金祥秦扬郭清秀李廷杨学良杨萍
- 关键词：BN表面电阻率激活能
- 氢化非晶硅薄膜的射频磁控溅射制备和光学性质研究
- 氢化非晶硅(a-Si：H)薄膜是一种重要的光电功能材料。它具有光吸收率高、电阻温度系数大、可大面积低温成膜、易掺杂、基片种类不限等优点。a-Si：H薄膜在太阳能电池、电子摄像、液晶显示和光电探测器等领域有着越来越广泛的应...
- 李廷
- 关键词：氢化非晶硅薄膜拉曼光谱光学带隙射频磁控溅射
- 文献传递
- 射频磁控溅射制备a-Si：H薄膜的研究
- 采用射频磁控溅射的方法制备a-Si:H薄膜，由红外、可见和紫外光谱以及拉曼谱标识。在不同溅射功率下制备a-Si：H薄膜。通过红外谱研究了单氢键SiH含量随溅射功率的变化，发现溅射功率为400W到450W之间时单氢键SiH...
- 李廷邓金祥郭清秀秦扬杨学良陈光华曲艳丽
- 关键词：氢化非晶硅紫外光谱光学带隙射频磁控溅射
- 文献传递
- 氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析被引量：2
- 2014年
- 射频磁控溅射法制备a-Si:H薄膜,利用椭圆偏振光谱对不同气压下a-Si:H薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。薄膜采用双层光学模型,通过Forouhi-Bloomer模型对椭圆偏振光谱参数进行拟合,获得450-850 nm光谱区域的a-Si:H薄膜光学参数值。结果表明,随着工作气压增加,薄膜厚度增厚,沉积速率升高;相同工作气压下,随偏振光波长增大,折射率呈下降趋势;相同波长偏振光下,折射率随工作气压上升而下降,折射率变化范围在3.5-4.1;消光系数随着工作气压增大呈略微增大的趋势。根据吸收系数与消光系数的关系,获得了薄膜的吸收谱,测算出不同工作气压下a-Si:H薄膜的光学带隙为1.63 eV-1.77 eV。
- 崔敏邓金祥李廷陈亮陈仁刚高学飞孔乐王旭
- 关键词：A-SI椭圆偏振光谱光学参数工作气压
- 氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析
- 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜是一种优异的光电功能材料,具有光吸收率高、电阻温度系数大、可大面积低温成膜、易掺杂、基片种类不限、与硅半导体工艺兼容等突出优点,在太阳能电池、薄膜晶体管、液晶显示和光电探测等领域有着广泛的应...
- 崔敏邓金祥李廷陈亮陈仁刚高学飞王旭
- 关键词：氢化非晶硅薄膜A-SI:H椭圆偏振光谱光学参数
- 文献传递
