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董志华

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇ALGAN/...
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇热氧化
  • 3篇泄漏电流
  • 2篇形貌
  • 2篇综合性能
  • 2篇膜制备
  • 2篇半导体
  • 2篇钛
  • 2篇HEMT器件
  • 2篇MOS
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇氧化钛薄膜
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇金属
  • 1篇基金属
  • 1篇二氧化钛薄膜
  • 1篇TIO
  • 1篇I-V特性

机构

  • 7篇北京大学

作者

  • 7篇董志华
  • 5篇文正
  • 5篇王阳元
  • 5篇郝一龙
  • 5篇王金延

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法
本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝...
董志华王金延郝一龙文正王阳元
文献传递
热氧化Ti膜制备TiO_2-AlGaN/GaN结构的Ⅰ-Ⅴ特性
提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO_2绝缘栅的方法,制备出了MetalTiO_2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO_2薄膜为金红石结构。分析了不同的Ti热氧化条件及...
董志华王金延郝一龙文正王阳元
关键词：ALGAN/GAN热氧化泄漏电流
文献传递
AlGaN/GaN MOSHEMT器件工艺研究和特性表征
由于AlGaN/GaNHEMT(高迁移率晶体管)显示出了优异的功率特性和频率特性，因此已成为国内外的研究热点。但是GaN基HEMT经过多年研究开发，目前该器件仍然未能投入大规模生产。制约该器件的大规模实用化进程的主要问题...
董志华
关键词：欧姆接触热稳定性
氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法
本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝...
董志华王金延郝一龙文正王阳元
文献传递
AlGaN/GaN MOSHEMT器件工艺研究及特性表征
董志华
关键词：欧姆接触热氧化
热氧化Ti膜制备TiO_2-AlGaN/GaN结构的I-V特性
2008年
提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO2绝缘栅的方法,制备出了Metal-TiO2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO2薄膜为金红石结构。分析了不同的Ti热氧化条件及不同的退火工艺对于MIS结构的漏电流影响。经过工艺优化制备出的MIS结构漏电流密度可低至10-7A/cm2数量级,击穿电压约为300V。实验数据表明,这种热氧化生成TiO2绝缘栅的制备工艺简单、成本低,抑制栅漏电效果显著,有望应用于AlGaN/GaN基HEMT器件制备工艺中。
董志华王金延郝一龙文正王阳元
关键词：TIO2ALGAN/GAN热氧化泄漏电流
热氧化电子束蒸发Ti膜制备TiO2-AlGaN/GaN MIS结构的工艺及泄漏电流特性研究
本文提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO2绝缘栅的法法,制备出了Metal-TiO2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO2薄膜为金红石结构。我们分析了不同的Ti热氧化条...
董志华王金延郝一龙文正王阳元
关键词：二氧化钛薄膜泄漏电流
文献传递
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