文正
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 热氧化Ti膜制备TiO_2-AlGaN/GaN结构的Ⅰ-Ⅴ特性
- 提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO_2绝缘栅的方法,制备出了MetalTiO_2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO_2薄膜为金红石结构。分析了不同的Ti热氧化条件及...
- 董志华王金延郝一龙文正王阳元
- 关键词：ALGAN/GAN热氧化泄漏电流
- 文献传递
- 热氧化电子束蒸发Ti膜制备TiO2-AlGaN/GaN MIS结构的工艺及泄漏电流特性研究
- 本文提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO2绝缘栅的法法,制备出了Metal-TiO2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO2薄膜为金红石结构。我们分析了不同的Ti热氧化条...
- 董志华王金延郝一龙文正王阳元
- 关键词：二氧化钛薄膜泄漏电流
- 文献传递
- 金属有机化学汽相淀积生长的本征氮化镓中持续光电导和复合机制的研究(英文)
- 2006年
- 通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360 nm～377 nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制。实验的结果证明了两种持续光电导的特性:一种是快速的复合,而且分析表明关灯后这种复合机制导致的持续光电流下降幅度随着波长的增加而增加;另一种是速度较慢的复合,它的电流衰减幅度几乎不受波长的影响。基于这些现象,提出了一个可能的物理模型,认为第一种机制是由于导带电子被电子陷阱俘获而引起的,第二种是由于导带电子与空穴陷阱俘获的空穴之间的复合而造成的。
- 邓冬梅吴春瑜王金延文正郝一龙王阳元
- 关键词：电子陷阱
- 氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝...
- 董志华王金延郝一龙文正王阳元
- 文献传递
- 氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝...
- 董志华王金延郝一龙文正王阳元
- 文献传递
- 热氧化Ti膜制备TiO_2-AlGaN/GaN结构的I-V特性
- 2008年
- 提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO2绝缘栅的方法,制备出了Metal-TiO2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO2薄膜为金红石结构。分析了不同的Ti热氧化条件及不同的退火工艺对于MIS结构的漏电流影响。经过工艺优化制备出的MIS结构漏电流密度可低至10-7A/cm2数量级,击穿电压约为300V。实验数据表明,这种热氧化生成TiO2绝缘栅的制备工艺简单、成本低,抑制栅漏电效果显著,有望应用于AlGaN/GaN基HEMT器件制备工艺中。
- 董志华王金延郝一龙文正王阳元
- 关键词：TIO2ALGAN/GAN热氧化泄漏电流
