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臧源: 作品数：35 被引量：7H指数：2; 供职机构：西安工程大学更多>>; 发文基金：陕西省教育厅自然科学基金陕西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术理学医药卫生更多>>

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柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si...; 李连碧臧源陈鸿胡继超林生晃张国青蒲红斌封先锋宋立勋涂喆研李泽斌徐永康王蓉; 文献传递

基于NiO/Ga2O3的紫外光电二极管及其制备方法: 本发明公开了一种基于NiO/Ga2O3的紫外光电二极管，包括顶电极和底电极，两电极之间由顶电极向底电极方向依次设置有P型晶体NiO薄膜、I型晶体β‑Ga2...; 胡继超臧源李连碧蒲红斌; 文献传递

饰核瓷厚度比对IPS e.max全瓷冠透光度的研究被引量：4: 2015年; 目的：比较不同核瓷饰瓷厚度配比对IPS e．max全瓷冠透光度的影响，为临床上全瓷冠的美学修复提供参考依据。方法：IPS e．max冠加工工艺中，其核瓷饰瓷厚度配比分别为1：4、1：2、1：1、2：1和4：1（n=60），利用minolta色度计测量试件，采用CIE-1976-L—a b颜色系统表色，每个试件的颜色参数L＊a＊b＊值重复测量3次，记录平均值为该试件的最终色度值。结果：1：4组遮色性能最差，4：1组遮色性能最好，随组分比例增加，遮色性能增大。5组之间的L＊、a＊、b＊值比较，差异均无统计学意义（P〉0．05）。但1：2～4：1（△E=1．59）、1：4～4：1（△XE=1．82）的色差比较，差异有统计学意义（P〈0．05）。结论：基底瓷饰面瓷厚度配比对IPSe．max全瓷冠的遮光度有影响，当核瓷（LT）厚度最少达到1．20mm才能遮住较深颜色的背景色。; 靳海立贾骏邓再喜周秦逯宜臧源李连碧; 关键词：透光度 IPS 全瓷冠

CuAlO2/Ga2O3紫外光电二极管及制备方法: 本发明公开了一种CuAlO2/Ga2O3紫外光电二极管，包括顶电极和底电极，两电极之间由顶电极向底电极方向依次设置有P型晶体CuAlO2</Su...; 胡继超臧源李连碧蒲红斌; 文献传递

一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法: 本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0....; 李连碧臧源胡继超林生晃贺小敏韩雨凌褚庆蒲红斌封先锋冯松宋立勋雷倩倩; 文献传递

增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法: 本发明公开了一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径...; 封先锋陈治明蒲红斌马剑平臧源; 文献传递

一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法: 本发明公开了一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法，首先将金属镓源放入石英舟内，石英舟放入双温区石英管式炉内温区1中；然后将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，将载有衬底片的衬底托放入石英管式炉内温区2中；将反应...; 胡继超李丹李连碧臧源王曦蒲红斌; 文献传递

一种CVD石墨烯干法转移方法: 本发明公开了一种CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预...; 李连碧臧源胡继超林生晃贺小敏褚庆冯松蒲红斌封先锋宋立勋雷倩倩涂喆研; 文献传递

一种多孔光阑的制备方法: 本发明公开了一种多孔光阑的制备方法，包括以下步骤：对圆形金属钼片依次使用氨水、丙酮、酒精和去离子水进行超声清洗，并使用N2吹干；将经过N2吹干的圆形金属钼片进行烘干；使用匀胶机...; 臧源林涛李连碧封先锋马特袁思嘉; 文献传递

一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管及其制备方法: 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄...; 李连碧臧源冯松蒲红斌封先锋宋立勋涂喆研韩雨凌褚庆; 文献传递