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蔡培锋

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇ZNO薄膜
  • 2篇电极
  • 2篇原子能
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇粘附
  • 2篇欧姆接触
  • 1篇氧化锌
  • 1篇光电

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇蔡培锋
  • 2篇范亚明
  • 2篇高云
  • 2篇陈诺夫
  • 2篇游经碧
  • 2篇张兴旺

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法
本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢...
张兴旺蔡培锋游经碧范亚明高云陈诺夫
文献传递
一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法
本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢...
张兴旺蔡培锋游经碧范亚明高云陈诺夫
文献传递
氢等离子体处理对ZnO薄膜光电性能的影响
氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ—Ⅵ族直接带隙半导体材料，禁带宽度为3.37 eV，对应于紫外光波段;同时拥有很大的激子束缚能，室温下达到60 meV。因此被看作是制造短波长半导体发光器件(发光二极管和激光器)的理想材料，成为当...
蔡培锋
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