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袁志军

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇键合
  • 2篇GAN
  • 1篇直接键合
  • 1篇键合技术
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子集成
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇SI
  • 1篇GAN材料
  • 1篇INP
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇袁志军
  • 1篇唐昕龙
  • 1篇邢启江
  • 1篇高文胜

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaN材料键合技术研究进展被引量：1
2003年
　GaN材料及其有关光电子器件的研制是近年来光电子研究领域内的研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术也可以研制出一些新型的光电子器件,这些器件用其他生长技术是不可能实现的。概括地介绍了近年来键合技术在GaN光电子器件及其集成领域内的研究进展和应用情况。
袁志军高文胜唐昕龙邢启江
关键词：GAN光电子集成
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的直接键合
该文主要介绍作者在北大物理学院攻读硕士期间,对Ⅲ-Ⅴ族半导体材料(主要是Si和InP)的直接键合所进行的实验和一些理论研究工作.论文共包括下面几个部分:第一部分:直接键合概述.先介绍键合的概念及分类;然后就键合的主流-直...
袁志军
关键词：直接键合SIINPGAASGAN
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共1页<1>
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