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高文胜

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇键合
  • 1篇键合技术
  • 1篇光弹效应
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子集成
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN材料

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇高文胜
  • 1篇袁志军
  • 1篇唐昕龙
  • 1篇邢启江

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaN材料键合技术研究进展被引量：1
2003年
　GaN材料及其有关光电子器件的研制是近年来光电子研究领域内的研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术也可以研制出一些新型的光电子器件,这些器件用其他生长技术是不可能实现的。概括地介绍了近年来键合技术在GaN光电子器件及其集成领域内的研究进展和应用情况。
袁志军高文胜唐昕龙邢启江
关键词：GAN光电子集成
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的光弹效应及光弹波导结构的研究
该文从理论上详细研究了在负偏压条件下,射频溅射技术淀积的W<,0.95>Ni<,0.05>表面应变薄膜在InGaAsP/InP双异质结结构内形成的应力场分布,这应力场分布使相应区域内的介电常数发生变化,形成了制作光电子器...
高文胜
关键词：光弹效应
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共1页<1>
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