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许静

作品数：143 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程建筑科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 140篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 22篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 5篇建筑科学
  • 5篇交通运输工程
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 68篇半导体
  • 63篇半导体器件
  • 29篇衬底
  • 27篇隧道结
  • 16篇刻蚀
  • 15篇沟道
  • 15篇磁矩
  • 14篇金属
  • 13篇底电极
  • 13篇晶体管
  • 13篇集成度
  • 12篇叠层
  • 12篇源区
  • 12篇空腔
  • 12篇功函数
  • 11篇堆叠
  • 11篇自旋
  • 11篇埋氧层
  • 11篇硅化物
  • 10篇背栅

机构

  • 143篇中国科学院微...
  • 1篇贵州大学

作者

  • 143篇许静
  • 87篇罗军
  • 53篇唐波
  • 52篇闫江
  • 50篇唐兆云
  • 40篇王红丽
  • 26篇杨萌萌
  • 23篇李春龙
  • 23篇毛淑娟
  • 22篇陈邦明
  • 9篇李俊峰
  • 9篇赵超
  • 5篇高建峰
  • 4篇叶甜春
  • 4篇尹海洲
  • 3篇刘云飞
  • 3篇李峻峰
  • 2篇王大海
  • 2篇王文武
  • 1篇于伟泽

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 5篇2024
  • 17篇2023
  • 8篇2022
  • 23篇2021
  • 11篇2020
  • 27篇2019
  • 12篇2018
  • 2篇2017
  • 28篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 2篇2013
共 143 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
自旋霍尔器件、霍尔电压的获取方法及最大池化的方法
本申请公开了一种自旋霍尔器件、霍尔电压的获取方法、最大池化的方法。该自旋霍尔器件包括硼铁化钴层；所述自旋霍尔器件的顶视图和底视图完全相同，均为十字形状图形；所述十字形状图形具有两条对称轴，所述两条对称轴互相垂直且互相平分...
崔岩罗军杨美音许静
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碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法
本发明涉及一种碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法。一种碳化硅欧姆接触结构的形成方法，包括：提供表面具有碳化硅(SiC)层的半导体结构；在所述碳化硅层注入重离子，使表面形成非晶层；然后在所述非晶层的表面沉...
罗军许静袁述张丹
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括第一器件区域：衬底；第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位...
唐波许静闫江王红丽唐兆云徐烨锋李春龙陈邦明杨萌萌
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第一区域和第二区域的第二半导体层上形成器件结构；刻蚀第一区域的器件结构两...
唐兆云闫江徐烨锋唐波王红丽许静杨萌萌
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基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法
一种基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法，存储器包括：M×N存储单元交叉点阵列，包含M条字线与N条位线，M≥3，N≥3，每条字线与每条位线的交叉点连接部位为一存储单元，每个存储单元为1晶体管(T)‑1磁性隧道结(M...
崔岩罗军杨美音许静
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一种半导体器件及其制造方法
本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底上的MOS器件；MOS器件之间的隔离；隔离区域上的电阻结构；覆盖MOS器件及电阻结构的介质层。采用本发明的器件，在MOS器件受到损伤，尤其是栅极的损伤缺陷时，通过给电...
许静闫江陈邦明王红丽唐波徐烨锋
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存储单元及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备
本发明公开了存储单元及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备。该存储单元包括半导体基底、第一绝缘介质层、铁电薄膜层、底电极、隧道结、第一金属互连部、第二金属互联部、第三金属互联部及第四金属互联部。第一绝缘介质层形成于半导...
杨美音罗军崔岩许静
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芯片单元、芯片组件和芯片单元的制作方法
本申请实施例提供了一种芯片单元、芯片组件和芯片单元的制作方法，其中芯片单元包括：衬底层；介质层，设置在所述衬底层上，所述介质层上有填充部；支撑结构，部分所述支撑结构设置在所述填充部内，另外一部分所述支撑结构伸出所述填充部...
孙祥烈许静罗军赵超
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供SOI衬底；在衬底上形成器件结构；去除器件结构的栅极，直至暴露顶层硅，以形成栅开口；沿顶层硅的(111)晶面进行刻蚀，以在栅开口下形成沟槽；填充栅开口及沟槽，以重新形成栅极...
许静闫江王红丽唐波唐兆云徐烨锋李春龙杨萌萌
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在部分衬底上形成第一半导体层，在衬底及第一半导体层上形成第二半导体层，衬底上形成有第一隔离；以第一半导体层之上的第二半导体层为有源区形成器件结构；在第一半...
徐烨锋闫江唐兆云唐波许静
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