罗军
- 作品数：438 被引量：31H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术交通运输工程更多>>
- 形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法
- 本发明涉及一种形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法。形成源/漏接触的方法：刻蚀出源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触孔底部为所述源极裸露的表面，所述漏极接触孔底部为所述漏极裸露的表面；在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内...
- 刘金彪罗军李俊峰叶甜春
- 一种半导体器件的制造方法
- 本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于解决器件结构为环栅晶体管的核心器件与输入/输出器件的兼容性较差的问题。上述制造方法包括：在衬底上形成结构相同的第一鳍部和第二鳍部。形成至少覆盖在第一鳍部和第二鳍...
- 李永亮陈安澜程晓红罗军王文武
- 一种深紫外光刻方法、光刻图形以及半导体结构
- 本发明公开了一种深紫外光刻方法、光刻图形以及半导体结构，涉及深紫外光刻技术领域，以提供一种当衬底具有较高的台阶时，采用深紫外光刻工艺仍能正常进行曝光技术方案。包括以下步骤：当所述深紫外光刻的景深小于所述衬底的台阶的高度时...
- 贺晓彬李俊峰李亭亭刘金彪高建峰杨涛罗军
- 一种非对称结构微流体混合器的设计与分析被引量：4
- 2014年
- 微流体混合器可以用于不同流体之间的混合与反应,其与化学传感器结合构成的化学分析测试系统,具有灵敏度高、响应时间短和稳定性好的特点。在微电子机械加工技术的基础上,设计了一种新型的、具有非对称分离重组结构的微流体混合器,并应用有限元方法建立了仿真模型,讨论了在不同雷诺数（Re=10~80）下,通道几何结构参数对微混合器内的流体流动特性和混合效率的影响。研究结果表明,微流体在该混合器内形成了扩展涡、分离涡和迪恩（Dean）涡,实现了涡系的叠加和强化,加大了流体间的扰动,增加了流体的接触面积,从而大大增强了混合效率。
- 荣波李民权黄成军赵超罗军
- 关键词：雷诺数有限元方法
- 一种自对准双重图形化的方法、半导体器件及电子设备
- 本发明公开一种自对准双重图形化的方法、半导体器件及电子设备，涉及半导体技术领域，以简化现有的SADP工艺的步骤，降低工艺成本。所述自对准双重图形化的方法包括：在基底上依次形成硬掩模层和电子束负胶层。通过电子束对电子束负胶...
- 贺晓彬杨涛刘金彪李亭亭高建峰李俊峰罗军
- 肖特基势垒晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种肖特基势垒晶体管及其制备方法。该肖特基势垒晶体管包括衬底以及位于衬底上的栅极结构，肖特基势垒晶体管还包括：沟道区，位于与栅极结构对应的衬底表面上，沟道区包括第一金属硅化物层；源漏区，包括位于沟道区两侧的第...
- 罗军毛淑娟许静
- 一种合束装置、激光加工设备和激光退火方法
- 本发明公开一种合束装置、激光加工设备和激光退火方法，涉及激光退火技术领域，用于降低激光退火时工艺区和非工艺区之间热预算差。所述合束装置用于对波长不同的预热光束和工艺光束进行合束，包括光束整形元件和半透半反光学元件；所述光...
- 刘金彪罗军李俊峰贺晓彬
- 文献传递
- 一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片
- 提供了一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片。制作晶体管的方法可以包括下面的步骤：在半导体衬底上确定有源区，在所述有源区上形成栅叠层、主侧墙和源漏区，所述主侧墙环绕所述栅叠层，所述源漏区嵌于所述有源区中且自对准...
- 尹海洲罗军朱慧珑骆志炯
- 文献传递
- 侧墙形成方法和包括侧墙的半导体器件
- 本公开提供了一种侧墙形成方法和包括侧墙的半导体器件。一示例方法可以包括:在衬底上形成鳍；在衬底上形成与鳍相交的栅堆叠；在衬底上共形淀积第一介质层，覆盖鳍和栅堆叠；在第一介质层上共形淀积第二介质层；对第二介质层进行各向异性...
- 钟汇才罗军殷华湘朱慧珑
- 文献传递
- 半导体器件及其制造方法
- 一种半导体器件，包括在绝缘衬底上沿第一方向延伸分布的多个鳍片结构、横跨多个鳍片结构沿第二方向延伸分布的栅极堆叠结构、在栅极堆叠结构沿第一方向两侧的源漏区，其中，多个鳍片结构上具有外延层。依照本发明的半导体器件及其制造方法...
- 钟汇才罗军赵劼赵超朱慧珑
- 文献传递
