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赖凡

作品数:26 被引量:111H指数:6
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:模拟集成电路国家重点实验室开放基金中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 24篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 25篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 9篇电路
  • 8篇集成电路
  • 4篇毫米波
  • 4篇半导体
  • 4篇SIGE
  • 3篇芯片
  • 3篇量子
  • 3篇量子计算
  • 3篇抗辐射
  • 3篇感器
  • 3篇半导体技术
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇异构
  • 2篇异构集成
  • 2篇智能传感
  • 2篇智能传感器
  • 2篇微电子
  • 2篇微系统
  • 2篇相控阵

机构

  • 26篇中国电子科技...
  • 6篇中国电子科技...
  • 5篇中国电子科技...
  • 2篇中电科技集团...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国航天
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 26篇赖凡
  • 4篇王健安
  • 3篇谢家志
  • 3篇王守祥
  • 3篇毛海燕
  • 2篇徐世六
  • 2篇徐学良
  • 2篇戴永红
  • 2篇武俊齐
  • 2篇蔡明理
  • 2篇邱盛
  • 2篇王文捷
  • 1篇胡刚毅
  • 1篇任芳
  • 1篇米佳
  • 1篇徐婉静
  • 1篇胡少勤
  • 1篇刘沛
  • 1篇张杨波
  • 1篇刘荣贵

传媒

  • 23篇微电子学
  • 1篇国防科技

年份

  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2004
26 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
抗辐射加固技术发展动态研究被引量:3
2022年
辐射效应已成为影响集成电路(IC)在宇宙空间可靠应用的主要因素。文章对IC抗辐射加固技术的研究进展进行了综述。首先,简介了抗辐射加固技术。然后,综述了抗辐射加固技术国外发展动态,介绍了美国在抗辐射加固技术方面的管理方式、技术路线、进展及典型应用。最后介绍了国内相关技术的进展,指出研究美国抗辐射加固技术的发展动态可促进国内抗辐射加固技术的发展。该综述对国内抗辐射加固技术的实际应用及推广具有一定借鉴意义。
毛海燕赖凡谢家志张健
关键词:抗辐射加固集成电路航天电子
低压差电压调节器技术发展动态被引量:23
2004年
 介绍了电源和功率管理集成电路市场,描述了低压差(LDO)电压调节器技术的发展进程和未来趋势;对国内外LDO产品和技术现状进行了比较,提出了发展LDO的建议。
赖凡
关键词:电压调节器LDOCMOSPMOSDMOS
试析美军数字现代化战略的半导体技术前沿
2022年
以集成电路为核心的半导体技术是军队数字化建设的基石,高端、安全、可靠的微电子组件对实现当前和下一代国防能力现代化至关重要,也是奠定战场优势的最重要因素之一。本文从研究美国国防部发布的《国防部数字现代化战略》入手,结合以集成电路为核心的半导体技术发展趋势,简明地阐析了人工智能芯片、智能传感器和通信系统芯片、非冯·诺依曼架构芯片和量子计算芯片等半导体技术前沿对发展云计算、人工智能、指挥控制与通信以及网络安全四大军事信息化核心领域的推动作用,并指出了当前非冯·诺依曼架构、边缘计算、网络安全等半导体前沿技术及其技术路线和实现途径与军事数字化的密切关联,为认识国防信息化战略中半导体技术的引擎作用提供了参考。
赖凡毛海燕
关键词:半导体技术
试析“超越摩尔定律”的技术
分析研究了半导体技术有别于“摩尔定律”的另一个发展趋势,即“超越摩尔定律”的发展方向,重点讨论了“超越摩尔定律”范畴的形成、可用组成器件、支撑技术和异质集成设计技术等问题。
赖凡徐学良蔡明理
关键词:半导体技术
后摩尔时代新兴计算芯片进展被引量:2
2020年
信息处理系统由于基础半导体技术遭遇"摩尔定律接近终结"和现行计算架构(冯·诺依曼架构)缺陷所导致的瓶颈,其发展受到严重挑战。为克服这些制约因素,一方面,集成电路开始沿着由技术内生动力和应用拉动的趋势,即"超越摩尔定律"和"超越CMOS"的方向,逐步发展,包括对单片3D系统和碳纳米管场效应晶体管芯片等新兴计算芯片技术的研究;另一方面,计算范式变革推动了以"神经形态计算"类脑芯片等构建的非冯·诺依曼架构的芯片迅速发展。本文从以上两个方面研究了后摩尔时代新计算芯片技术发展的脉络,分析了数字计算芯片、模拟计算芯片、神经形态计算芯片等新兴计算芯片技术的新进展。
武俊齐赖凡
关键词:碳纳米管场效应晶体管量子计算
微系统技术创新发展策略研究被引量:8
2015年
简略论述了国际上重要公司微系统重点发展技术和策略,以及成为热点的3D集成技术及其主要开发联盟。初步探讨了我国微系统技术和产业创新发展策略,明确提出了建立以标准开发为目的的联合开发平台建议、重点开发的关键技术和微系统光电技术路线图。
赖凡王守祥何晋沪
关键词:微系统3D集成
硅基自旋量子比特技术研究进展
2021年
量子芯片是运用量子力学基本原理构建实用化计算机的基础。各国研究团队通过近几年的卓越研究工作,将硅基量子比特芯片技术发展成量子计算的核心方向之一。文章重点归纳了Si自旋量子比特的主要类型,分析了可靠量子计算实现所要求的高保真度、长程耦合等指标的关键技术。这些技术的研究表明,硅是一个能实现全面量子计算发展的可行平台。
戴永红赖凡刘荣贵
关键词:量子计算芯片
微电子器件抗辐射加固技术发展研究被引量:18
2014年
对微电子器件抗辐射加固的发展态势进行了分析研究。目前,对微电子器件进行抗辐射加固的主要技术是抗辐射加固设计和抗辐射加固工艺;微电子技术的进步促进了抗辐射加固的新设计技术、新工艺技术、封装技术和试验手段不断发展,刺激了完整有效的设计、验证体系和制造能力的形成;领先国家的技术发展重点在于加强设计、工艺、制造领域的抗辐射加固能力,提升微电子器件的抗辐射加固指标、容错能力和高可靠性品质。研究结果对建立完整的抗辐射加固体系,加速抗辐射加固技术发展具有一定的参考价值。
王健安谢家志赖凡
关键词:微电子器件抗辐射加固SOISIGE
高性能A/D转换器校准技术研究进展被引量:5
2020年
A/D转换器(ADC)的校准技术是提高高性能ADC转换精度的必要手段,它分为模拟校准技术和数字校准技术。数字校准技术较之模拟校准技术更为有效和更具灵活性。数字校准技术是在数字域进行错误代码计算,减轻了对模拟电路的精度要求。在主流制造工艺小尺寸化的趋势之下,许多创新的校准技术得到发展,并广泛应用于包括射频直接采样ADC在内的高速高精度ADC中。本文在分析最新的高速高精度ADC中采用的主要校准技术的基础上,重点研究了几种高采样率高精度ADC所采用的校准技术,侧重分析了数字校准技术。
赖凡徐梓丞戴永红
关键词:A/D转换器
硅基异质集成技术发展趋势与进展被引量:8
2020年
目前主流的异质集成技术有单片异质外延生长、外延层转移和小芯片微米级组装。硅基异质集成主要是指以硅材料为衬底集成异质材料(器件)所形成的集成电路技术。它首先在军用微电子研究中得到重视,并逐渐在民用领域扩展。硅基异质集成技术正处于芯片级集成向晶体管级集成的发展初期,已有关于晶体管级和亚晶体管级集成的报道。本文重点研究了单片三维集成电路(3D SoC)、太赫兹SiGe HBT器件、超高速光互连封装级系统(SiP)、单片集成电磁微系统等硅基异质集成技术前沿,展现了硅基异质集成技术的发展趋势,及其在军用和民用通信、智能传感技术发展中所具有的重要意义。
武俊齐赖凡
关键词:HBT器件
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