邓功荣
- 作品数：47 被引量：36H指数：4
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省中青年学术和技术带头人后备人才项目云南省应用基础研究计划面上项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学文化科学更多>>
- 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器
- 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器，其特征在于：由读出电路，铝电极，下电极，光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极，铝电极上设计有凹槽，在凹槽内沉积金属下电极，下电极通过铝电极与读出电路连接，在读出电路、铝电极以及下...
- 史衍丽姬荣斌李凡何雯瑾邓功荣杨瑞宇康蓉彭曼泽
- 文献传递
- 红外光学瞄准具扫描摆镜转角范围及控制稳定性测量方法
- 本发明涉及一种红外光学瞄准具扫描摆镜转角范围及控制稳定性测量方法。步骤包括：1)在转台安装固定扫描器法兰支架，固定法兰支架旋转角度，使用光学标准棱镜对扫描器法兰支架进行零位标定；2)扫描器安装到标定零位后的法兰支架上，扫...
- 罗志斌杨帆蒋砾邓功荣张巍潘超朱光明闫哲刘梦然
- 文献传递
- 一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料及其制备方法
- 本发明涉及一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、缓冲层、n型电极接触层、n型空穴阻挡层、吸收层、p型电子阻挡层和p型电极接触层。所...
- 陈冬琼杨文运龚晓霞邓功荣袁俊岳彪白兰艳施静梅杨玲太云见黄晖
- 铟砷锑红外探测器的研究进展
- 2022年
- InAs_(1-x)Sb_(x)属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,随Sb组分含量的不同,室温下可覆盖3~12μm波长,并且InAsSb材料具有载流子寿命长、吸收系数大、载流子迁移率高等优点,是一种具有广阔应用前景的红外光电材料。探测器可以在150 K甚至近室温下工作,具有较高的灵敏度和探测率,是低功耗、小型化、高灵敏度和快响应中长波红外探测系统的良好选择,InAsSb中长波红外探测器受到广泛的关注和研究。本文首先简要概述了InAsSb材料的基本性质。其次,对国内外InAsSb红外探测器发展状况进行了介绍。最后,对InAsSb红外探测技术的发展进行了总结与展望。
- 陈冬琼杨文运邓功荣龚晓霞范明国肖婷婷尚发兰余瑞云
- 关键词：红外探测器INASSB
- Pt/p-GaN/AlGaN异质结紫外探测器及其制备方法
- 基于Pt/p‑GaN/AlGaN异质结的高探测率紫外探测器及其制备方法，涉及光电技术领域。该器件是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构，下台面采用n<Sup>+</Sup>‑AlGaN材料，在其表面生长多层金属Ti/...
- 唐利斌邓功荣袁绶章吴刚郝群罗磊王静宇魏红严顺英谭英孔金丞
- 基于金属Al/p-GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器及其制备方法
- 基于金属Al/p‑GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器，涉及光电技术领域。探测器是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构，台面下部,在n<Sup>+</Sup>‑AlGaN材料表面沉积多层金属Ti/Al/Ni/A...
- 吴刚唐利斌邓功荣袁绶章郝群王博王静宇魏红严顺英谭英孔金丞
- 新型Sb基二类超晶格红外探测器
- 2012年
- InAs/Ga(In)SbⅡ类超晶格材料由于特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率;另外,通过调节材料参数调节能带结构,器件响应波段可调;通过能带结构设计抑制俄歇复合,获得较小的暗电流和较高的器件性能。因为以上特有的材料性能和器件特性,Sb基二类超晶格在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对二类超晶格材料的设计和器件特性进行了研究,设计了峰值波长4μm的nBn结构的中波红外探测器,在没有蒸镀抗反膜的条件下,77 K温度下测试得到的峰值探测率为2.4×1011cm Hz1/2W-1,计算得到的量子效率为47.8%,峰值探测率已经接近目前的碲镉汞中波红外探测器器件性能。研究结果充分显示了二类超晶格优越的材料和器件性能。
- 史衍丽何雯瑾张卫锋王羽袁俊莫境辉冯江敏胡锐邓功荣徐应强牛智川
- 关键词：INASNBN探测率量子效率
- 垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法
- 垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法，涉及光电器件成像技术领域，尤其是一种高性能垂直型ITO/黑硅可见‑近红外光电探测器的制备技术。该光电探测器基于n型硅衬底，正面为高掺杂浓度的p型层。器件背面的n型层为过饱和掺杂的...
- 张玉平唐利斌邓功荣吴刚袁绶章王博宋立媛赵鹏王静宇岳彪王海澎刘燕辛永刚王琼芳苏润洪魏虹姬玉龙黄俊博李红福李轶民敖雨彭秋思吴强
- 一种增加光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着性的方法
- 本发明公开了一种增加光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着性的方法。本发明是在超晶格红外焦平面芯片上通过等离子体处理芯片表面，从而增加光刻胶在芯片表面的粘附性，尤其针对较小光刻图形制备时。在超晶格红外焦平面芯片光刻前，首先采...
- 王海澎木迎春李东升龚晓丹孔金丞黄佑文彭秋思雷晓虹周旭昌邓功荣
- 一种PBn型InAsSb红外探测器材料
- 本发明涉及一种PBn型InAsSb红外探测器材料，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为100nm～300nm厚的顶电极接触层、100nm～200nm厚的势垒层、2000nm～3000nm厚的吸收层、...
- 邓功荣杨文运龚晓霞肖婷婷杨绍培宋欣波范明国袁俊赵鹏黄晖
- 文献传递
