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邝永变

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 13篇存储器
  • 6篇聚对二甲苯
  • 4篇金属
  • 4篇聚合物膜
  • 4篇技术工艺
  • 4篇光刻
  • 4篇光刻工艺
  • 4篇存储密度
  • 2篇等离子体化学...
  • 2篇低电压
  • 2篇低功耗
  • 2篇低压低功耗
  • 2篇电路
  • 2篇电路技术
  • 2篇电压
  • 2篇多态
  • 2篇氧化还原反应
  • 2篇氧化物
  • 2篇熔断
  • 2篇柔韧

机构

  • 13篇北京大学

作者

  • 13篇邝永变
  • 12篇黄如
  • 10篇张丽杰
  • 8篇高德金
  • 8篇于哲
  • 8篇唐昱
  • 2篇唐迫人
  • 2篇潘越
  • 2篇唐粕人

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 6篇2010
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于集成电路技术领域。该阻变存储器，为MIM结构，该MIM结构的底层和顶层分别为金属电极，该MIM结构的中间层为聚对二甲苯聚合物膜。本发明采用聚对二甲苯聚合物作为阻变存储器的阻变材...
黄如邝永变唐昱
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一种多态有机阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，所述中间有机功能层为钛氧酞菁膜，在钛氧酞菁膜内有金属Cu或者Ag纳米细丝。本发明引...
于哲黄如邝永变张丽杰高德金
文献传递
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制造方法，属于集成电路技术领域。该阻变存储器，为MIM结构，该MIM结构的底层和顶层分别为金属电极，该MIM结构的中间层为，依次叠加的第一层聚对二甲苯聚合物膜、金属或金属氧化物纳米层和第二层...
邝永变黄如唐昱张丽杰
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新型非易失性纳晶存储器件和有机存储器件的设计与制备
随着器件尺寸的缩小，多晶硅浮栅型闪存面临着如何实现高可靠性、更快速度、更低功耗以及更低工作电压的巨大挑战。同时，随着低成本、便携式和柔性电子系统的广泛应用，人们对存储器的需求日益多样化。本论文基于新器件结构、新材料和新工...
邝永变
一种低电压阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅(Si<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>N<Sub>z<...
黄如高德金张丽杰邝永变于哲唐昱潘越唐粕人
文献传递
一种多态有机阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，所述中间有机功能层为钛氧酞菁膜，在钛氧酞菁膜内有金属Cu或者Ag纳米细丝。本发明引...
于哲黄如邝永变张丽杰高德金
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制造方法，属于集成电路技术领域。该阻变存储器，为MIM结构，该MIM结构的底层和顶层分别为金属电极，该MIM结构的中间层为，依次叠加的第一层聚对二甲苯聚合物膜、金属或金属氧化物纳米层和第二层...
邝永变黄如唐昱张丽杰
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一种柔性有机阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种柔性有机阻变存储器及其制备方法，属于集成电路技术领域。该器件采用聚对二甲苯聚合物膜为衬底，衬底上为MIM结构的阻变存储器，阻变存储器的底层和顶层分别为金属电极，阻变存储器的中间功能层为聚对二甲苯聚合物膜。...
黄如邝永变唐昱张丽杰高德金唐迫人于哲
一种有机阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，其中，中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞菁膜。本发明在钛氧酞菁薄膜生长过程中，引入均...
于哲黄如邝永变张丽杰高德金
一种有机阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，其中，中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞菁膜。本发明在钛氧酞菁薄膜生长过程中，引入均...
黄如于哲邝永变张丽杰高德金
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