郑英奎
- 作品数：108 被引量：33H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 双沟道晶体管及其制备方法
- 本发明公开了双沟道晶体管，以GaN为材料，包含双沟道，即第一沟道和第二沟道，第一沟道为势垒层和GaN沟道层的界面，第二沟道为背势垒层和GaN沟道层的界面，所述势垒层和背势垒的材料均为AlGaN；所述AlGaN背势垒层的厚...
- 赵妙郑英奎刘新宇彭铭曾李艳奎欧阳思华魏珂
- 文献传递
- 深亚微米栅HFET器件工艺研究
- 2000年
- 通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField－EffectTransistor)器件，并对0.1μm栅长HFET器件的整套工艺及器件性能进行了研究。形成了一整套具有新特点的HFET器件制作工艺，获得了良好的器件性能(ft=78GHz;gm=440ms/mm)。
- 郑英奎和致经吴德馨
- 关键词：HFETT型栅
- 等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理被引量：2
- 2007年
- 对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析Al GaN表面,等离子体干法刻蚀增加了Al GaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与Al GaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使Al GaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与Al-GaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,Al GaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.
- 李诚瞻庞磊刘新宇黄俊刘键郑英奎和致经
- 关键词：等离子体刻蚀栅电流
- 不同平面掺杂结构对PHEMT器件性能的影响
- 研制比较了Al<,0.24>Ga<,0.76>As/In<,0.22>Ga<,0.78>As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT).由于采用了双平面掺杂和双异质结结构,...
- 汪宁陈震郑英奎刘新宇和致经
- 关键词：晶体管线性度PHEMT器件
- 文献传递
- 一种测量GaN基器件热可靠性的方法
- 本发明公开了一种测量GaN基器件热可靠性的方法，包括：测量多个被测GaN基器件在不同栅压下漏压和漏电流的大小，并计算得到该多个被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量该多个被测GaN基器件的峰值结温，由该峰...
- 赵妙刘新宇罗卫军郑英奎陈晓娟彭铭曾李艳奎
- 文献传递
- 一种紧凑型Doherty功率放大器
- 本发明涉及一种紧凑型Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器工作效率较低且电路增益较小的问题。Doherty功率放大器包括：驱动功率放大电路，连接在功分器的输入端；载波功...
- 周兴达刘果果袁婷婷魏珂刘新宇陈晓娟郑英奎
- 一种电子束对准标记的制作方法及其应用
- 本发明公开了一种电子束对准标记的制作方法，采用Ti/Pt金属结构作为对准标记的金属结构，对衬底材料采用光刻方法进行光刻，在衬底材料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线...
- 刘果果和致经魏珂刘新宇郑英奎
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- 确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法
- 本发明公开了一种确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法，属于GaN基异质结构沟道量子阱中载流子驰豫物理机制技术领域。该方法根据“载流子峰值浓度—时间”平滑线散点图确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子的发光...
- 赵妙阎理贺刘新宇郑英奎
- 文献传递
- 钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响被引量：1
- 2008年
- 提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCl:H2O=1:4:20)对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaNHEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面预处理再钝化,成功地抑制了AlGaN/GaNHEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AlGaN表面,观察到经过预处理后的AlGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AlGaN/GaNHEMTs性能的主要原因.
- 李诚瞻刘丹郑英奎刘新宇刘键魏珂和致经
- 关键词：ALGAN/GANHEMTS钝化
- 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法
- 本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；...
- 李诚瞻魏珂郑英奎刘果果和致经刘新宇刘键
- 文献传递
