刘果果
- 作品数：86 被引量：33H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>
- 一种制作U型栅脚T型栅结构的方法
- 本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiN<Sub>x</Sub>钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiN<Sub>x<...
- 孔欣魏珂刘新宇黄俊刘果果
- 应用于X波段的0.8 m栅长AlGaN/GaN HEMT功率器件
- 报道了在蓝宝石衬底上采用MOCVD外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构,实现了栅宽为1.2 mm的微波功率管.其栅长为0.8 μ m,采用光学光刻技术实现,在工艺过程中,引入了源场板的结构.测试表明,该器件输出电流...
- 刘果果郑英奎刘新宇魏珂和致经
- 关键词：氮化镓材料高电子迁移率晶体管微波功率器件光学光刻MOCVD
- 文献传递
- 5G基站宽带功率放大器芯片性能评价方法研究
- 2022年
- 为适应5G基站应用特点对宽带功率放大器芯片测试提出的新需求,对5G基站功率放大器测试的特点进行分析,梳理了5G基站功率放大器芯片EVM和ACLR等主要测试项,提出了适用于5G基站应用场景的测试方法和一套综合评价方法,并依据该方法对此类芯片的性能指标开展了测试和评价,为用户选型和性能评价提供了支撑。
- 菅端端任翔南江刘舒宁郭轩刘果果
- 关键词：宽带功率放大器
- SiC衬底的减薄方法
- 本发明公开了一种SiC衬底的减薄方法，其包括匀光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的AlGaN/GaNHEMT器件；将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。根...
- 魏珂黄俊刘果果李诚瞻刘新宇
- 文献传递
- 监控栅槽刻蚀的方法
- 本发明公开了一种监控栅槽刻蚀的方法，包括：在制备实际凹栅槽器件的同时，制备至少两个源/漏区结构参数相同的参考凹栅槽器件，至少有两个参考凹栅槽器件的栅长尺寸位于实际凹栅槽器件栅长尺寸的两侧；测试获得至少两个参考凹栅槽器件的...
- 魏珂郑英奎刘新宇刘果果彭明曾
- 文献传递
- 一种驱动EML型激光器的输出级电路
- 本发明提供了一种驱动EML型激光器的输出级电路，本发明采用具有厚栅氧的MOS管形成共栅差分对，同时采用具有薄栅氧的MOS管形成共源差分对，进而利用厚栅氧MOS管的耐高压和薄栅氧MOS管的寄生电容小的优势，在可以采用Si基...
- 陈江郑旭强刘果果刘新宇
- AlGaN/GaN HEMT直流电流崩塌效应研究
- 对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4...
- 李诚瞻刘键刘新宇刘果果陈晓娟庞磊和致经
- 关键词：GAN材料HEMT电流崩塌效应
- 文献传递
- 一种T型栅HEMT器件及其制作方法
- 本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成细栅图形；在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内...
- 魏珂刘新宇黄俊刘果果
- 文献传递
- 一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路被引量：1
- 2009年
- 论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm(3.6 W),PAE为47%,线性增益9 dB。
- 张辉陈晓娟刘果果曾轩袁婷婷陈中子王亮刘新宇
- 关键词：ALGAN/GANHEMT内匹配混合集成电路功率放大器
- 一种均衡器和电子设备
- 本发明提供一种均衡器和电子设备，所述均衡器包括：连续时间线性均衡器、单端转差分电路、可调增益放大器以及解串器模块，在本方案中，所述连续时间线性均衡器或单端转差分电路中的至少部分无源器件采用反相器构成，从而通过使用有源器件...
- 刘朝阳郑旭强刘果果张秋月徐华刘敏李伟杰
