郝平海
- 作品数：8 被引量：23H指数：3
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应
- 1992年
- 本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集团。集团中部分P与衬底Ga原子成键,另一部分P则以单质形式存在,继续提高温度退火,将使P集团中的P全部与衬底发生反应生成GaAsP薄层。在高温GaAs衬底上淀积P,将得到GaAsP固溶体薄层。这一薄层有望成为GaAs表面理想的钝化膜。
- 卢学坤郝平海贺仲卿侯晓远丁训民
- 关键词：磷砷化镓相互作用温度相关
- 硅的可见光发射──通向全硅光电子集成之途被引量：3
- 1992年
- 由于Ｓｉ是一种禁带宽度只有１．１ｅＶ的间接带隙材料，其发光效率极低，因此长期以来Ｓｉ被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料．但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象，对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击，一股多孔硅的研究热潮也正在兴起．本文将结合作者在多孔硅方面的工作，对多孔硅光致发光现象的研究背景、现状和潜在的应用作了较详细的介绍．
- 王迅侯晓远郝平海
- 关键词：硅可见光发射多孔硅
- 多孔硅结构与发光机理的非线性光学研究
- 1993年
- 最近的研究中,采用1.06μm超短脉冲光激发,在多孔硅表面观察到了有效的红外多光子激发的荧光发射.研究表明,这是一个增强的三阶非线性光学过程.本文利用其三阶非线性特性对具有强可见光发射的多孔硅结构进行了研究,结果显示晶体硅的各向异性特征在多孔硅中几乎被保留;此外,较强的激光激发导致的红外上转换荧光信号衰减过程被归结为与多孔硅表面氢的脱附有关.
- 王健蒋红兵王文澄郑家骠张甫龙郝平海候晓远王迅
- 关键词：多孔硅发光硅非线性光学
- 多孔硅的电致发光研究被引量：12
- 1993年
- 本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后,当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm^2时,观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明显的类似二极管的整流特性。
- 张甫龙郝平海史刚侯晓远丁训民黄大鸣王迅
- 关键词：硅多孔硅电致发光
- 空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响被引量：6
- 1994年
- 发光多孔硅的喇曼光谱在５２０ｃｍ￣（－１）附近呈现一锐峰，峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形，发现除了光学声子的空间限制效应，硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的应变，与已报道的Ｘ射线衍射结果相一致。在多孔硅的喇曼光诸中没有观察到起源于非晶硅的光散射信号。
- 杨敏黄大鸣郝平海张甫龙侯晓远王迅
- 关键词：多孔硅发光散射谱
- 多孔硅量子约束效应导致的红外多光子激发荧光被引量：2
- 1992年
- 采用超短脉冲近红外光(1.06μm)激发,首先在多孔硅表面观察到了较强的可见区荧光产生.荧光强度与激发光强度的三次方关系表明,有效的荧光产生起源于三阶非线性光学效应的增强.对多孔度低的样品观察不到这种荧光发射.通过与多孔硅的紫外光(355 nm)激发谱的比较,我们把这种有效的多光子激发过程归结为来源于多孔硅的量子约束效应.
- 王健蒋红兵王文澄郑家骠张甫龙郝平海侯晓远王迅
- 关键词：多孔硅荧光
- 多孔硅研究的新进展——蓝光发射
- 1993年
- 近年来,人们发现室温下多孔硅能够发射可见光,这使得全硅光电子集成有可能得以实现.由于这一诱人的应用前景以及多孔硅发射可见光的机理研究本身具有极大的物理意义,因而使多孔硅的发光研究成为近年来一大热点. 然而迄今为止,人们所获得的多孔硅发光波长一般在600-800nm之间,最短的也在530nm附近,也就是只能制得发射红、橙、黄、绿光的多孔硅,而无法获得蓝光发射.这对于多孔硅的实际应用和机理研究都是一个重大障碍.在实用方面,蓝色作为彩色的三基色之一,在任何彩色显示中都不可缺少;而在理论方面。
- 王为史刚张甫龙郝平海黄大鸣侯晓远王迅
- 关键词：多孔硅光致发光硅
- 用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构被引量：1
- 1995年
- 本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的光激发谱（ＰＬＥ）的结果相近．ＵＰＳ结果发现多孔硅费米能级到价带顶的距离不同于单晶硅，结合ＨＲＥＥＬＳ和ＵＰＳ结果可以初步得出多孔硅与硅界面的能带排列．
- 郝平海侯晓远丁训民贺仲卿蔡卫中王迅
- 关键词：多孔硅电子结构电子能量损失谱
