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郝霄鹏

作品数：114 被引量：115H指数：6
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金高等学校骨干教师资助计划更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 88篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇理学
  • 11篇电子电信
  • 11篇一般工业技术
  • 5篇化学工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 41篇纳米
  • 23篇氮化
  • 21篇外延片
  • 19篇氮化硼
  • 16篇纳米片
  • 13篇发光
  • 12篇衬底
  • 10篇单晶
  • 9篇溶剂
  • 9篇晶体
  • 8篇多量子阱
  • 7篇氮化镓
  • 7篇溶剂热
  • 7篇刻蚀
  • 7篇干法刻蚀
  • 7篇白光
  • 7篇白光LED
  • 6篇单层膜
  • 6篇气相外延
  • 6篇氢化物气相外...

机构

  • 114篇山东大学
  • 1篇山东轻工业学...
  • 1篇山东华光光电...

作者

  • 114篇郝霄鹏
  • 84篇吴拥中
  • 48篇徐现刚
  • 30篇邵永亮
  • 24篇刘晓燕
  • 22篇蒋民华
  • 21篇崔得良
  • 18篇尹正茂
  • 15篇张雷
  • 13篇戴元滨
  • 13篇田媛
  • 11篇于美燕
  • 11篇巩海波
  • 10篇霍勤
  • 7篇王琪珑
  • 7篇夏伟
  • 6篇张浩东
  • 6篇刘春艳
  • 6篇董守义
  • 6篇谢政

传媒

  • 9篇功能材料
  • 7篇人工晶体学报
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇中国科学（B...
  • 1篇化学学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇第五届中国功...

年份

  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 11篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 12篇2015
  • 12篇2014
  • 5篇2013
  • 11篇2012
  • 4篇2011
  • 8篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 13篇2004
  • 2篇2003
  • 5篇2002
共 114 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法
本发明提供了一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法，包括以下步骤：(1)按常规利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层，衬底为GaAs材料；(2)在外延生长的P型接...
郝霄鹏巩海波夏伟吴拥中徐现刚
文献传递
一种白光LED及其制备方法
一种白光LED及其制备方法，包括绝缘底座、碗形反射镜和蓝光LED芯片，碗形反射镜设置在绝缘底座上，碗形反射镜与绝缘底座之间设有导热片，蓝光LED芯片固定在碗形反射镜中，绝缘底座上设置有两个与蓝光LED芯片连接的电极，电极...
吴拥中尹正茂郝霄鹏谢政刘春艳刘晓燕徐现刚
文献传递
制备氮化硼纳米微粉的方法
一种利用有机溶剂液相化学反应制备氮化硼纳米微粉的方法，属于纳米材料技术领域。本发明针对现有技术存在的合成温度高压力大设备复杂等问题，提出把硼源溶入有机溶剂，充分搅拌再加入氮源，然后在密闭容器50-600℃反应或在敞口容器...
崔得良郝霄鹏徐现刚蒋民华
文献传递
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用被引量：2
2002年
研究了Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响 ,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异 ,对这些现象进行了解释 ;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征。结果表明 :当Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时 ,其表面活性明显降低 ;含Ga的Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶。这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键 。
王立民刘振刚董守义于美燕郝霄鹏崔得良徐现刚王琪珑
关键词：半导体纳米晶体氮分子活化配位键
用于控制水热和溶剂热反应过程的高压反应釜
用于控制水热和溶剂热反应过程的高压反应釜，属于化工设备技术领域。包括高压反应釜的釜体、釜盖和紧固件，加热炉及温度控制器，磁力驱动搅拌器和转速控制器，压力测量装置，安全防爆装置，用于取样和通气的阀门、管道，在反应釜内、外加...
崔得良蒋民华郝霄鹏于美燕
文献传递
配合物热分解制备氮化镓纳米线及其生长机理研究被引量：3
2005年
报道了利用VLS生长机制,在NH3气氛中,由配合物GaCl3·NH3在高温下热分解反应成功制备了GaN纳米线,利用X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)、X射线能谱(EDS)等分析手段对产物进行了表征,并对氮化镓纳米线的VLS生长机理进行了探讨。
展杰郝霄鹏吴拥中温树林蒋民华
关键词：氮化镓纳米线显微结构
一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法
本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片减薄；(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥；(4)使用金属层...
郝霄鹏戴元滨邵永亮吴拥中刘晓燕张浩东田媛
文献传递
一种利用ZnO纳米锥阵列提高LED发光效率的方法
本发明公开了一种利用ZnO纳米锥提高LED发光效率的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层；(2)在外延片蒸镀一层ITO电流扩展层；(3)制作P电极和N电极同面的未解离的LE...
吴拥中尹正茂郝霄鹏刘晓燕徐现刚
一种蓝光激发碳点发光的白光LED及其制备方法
一种蓝光激发碳点发光的白光LED及其制备方法，该白光LED包括绝缘底座、碗形反射镜、蓝光LED芯片和透镜，碗形反射镜设置在绝缘底座上，碗形反射镜与绝缘底座之间设有导热片，蓝光LED芯片固定在碗形反射镜中，蓝光LED芯片上...
郝霄鹏尹正茂吴拥中谢政刘春艳刘晓燕徐现刚
文献传递
制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法
本发明公开了一种制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：(1)选择并清洗衬底；(2)用磁控溅射仪在衬底上常温溅射一层致密结晶性好的ZnO种子层；(3)用水热法在衬底上生长ZnO纳米锥或纳米棒阵列...
吴拥中尹正茂郝霄鹏刘晓燕徐现刚
文献传递
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