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鲁麟

作品数：23 被引量：11H指数：1
供职机构：安徽工程大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金高等学校科技创新工程重大项目更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 8篇会议论文
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 6篇容错
  • 4篇容错结构
  • 4篇位错
  • 4篇蜂窝
  • 4篇TSV
  • 3篇退火
  • 3篇ZN
  • 3篇MOCVD生...
  • 2篇单环
  • 2篇电流
  • 2篇电流检测
  • 2篇电流检测电路
  • 2篇电路
  • 2篇异质结
  • 2篇因数校正电路
  • 2篇硬件开销
  • 2篇整流滤波
  • 2篇整流滤波电路
  • 2篇刃型位错
  • 2篇容错方法

机构

  • 13篇北京大学
  • 11篇安徽工程大学
  • 1篇太原理工大学

作者

  • 23篇鲁麟
  • 9篇沈波
  • 9篇许福军
  • 6篇瞿成明
  • 6篇杨志坚
  • 6篇张国义
  • 6篇朱世东
  • 6篇苗振林
  • 6篇黄森
  • 6篇韩名君
  • 6篇高文根
  • 5篇代广珍
  • 5篇宋杰
  • 4篇秦志新
  • 3篇马楠
  • 3篇林芳
  • 2篇俞大鹏
  • 2篇潘尧波
  • 2篇王茂俊
  • 2篇桑立雯

传媒

  • 4篇第十七届全国...
  • 3篇发光学报
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇Journa...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 6篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 6篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于分时复用的TSV蜂窝单环结构、TSV蜂窝多环结构及容错方法
本发明公开了一种TSV蜂窝单环容错结构及容错方法、TSV蜂窝多环容错结构，TSV蜂窝单环容错结构分为上层Die2和下层Die1，下层Die1包含Routing路由模块，上层包括Rerouting路由模块；Routing路...
倪天明杨兆鲁麟朱世东瞿成明韩名君张肖强
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一种功率因数校正电路
本实用新型公开了一种功率因数校正电路，包括PFC电路、主控单元、输入电压电流检测电路、输出电压检测电路、mos管电流检测电路，交流输入电源经整流滤波电路与PFC电路的输入端连接，所述PFC电路的输出端经滤波电路输出功率调...
高文根鲁麟倪天明张港於跃吴铭辉
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AlN插入层厚度对Al0.25Ga0.75N/GaN异质结肖特基接触反向漏电的影响
AIN插入层已被广泛用来提高Al0.25Ga0.75N/GaN/AIN体系中的二维电子气的迁移率和浓度，然而很少有人关注AIN插入层对该异质结构上肖特基接触的反向漏电的影响。而栅极反向漏电会造成AlxGa1-xN/GaN...
黄森沈波马楠许福军林芳苗振林宋杰鲁麟桑立雯秦志新
关键词：二维电子气反向漏电异质结
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GaN模板上MOCVD生长InzAl1-zN的缺陷研究
@@引言： InxAlt-xN三元合金的禁带宽度跨越红外(0.7 eV)到深紫外(6.2 eV)的范围，使其在光电子器件上有重要的应用前景。InxAl1-xN／GaN异质结构在x=0.18时，InxAl1-xN与GaN晶...
苗振林沈波于彤军许福军宋杰鲁麟杨志坚
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低位错密度Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N外延薄膜的制备方法
本发明公开了一种低位错密度Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N外延薄膜的制备方法，制备方法包括：在衬底上外延生长AlN薄膜；将制得的AlN薄膜上外延生长多个周期Al<Sub>y</Sub>Ga<...
鲁麟李明潮刘畅吕琛江明
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In组分梯度渐变的n-i-p结构InGaN太阳能电池性能研究被引量：1
2016年
为了优化InGaN太阳能电池结构并有效地指导实际电池的制备,研究了n-i-p(p层在下)In组分梯度渐变结构的InGaN太阳能电池的性能特征。通过APSYS软件模拟计算,对比采用p-i-n渐变结构(p层在上)和n-i-p渐变结构(p层在下)的InGaN太阳能电池的器件性能。结果表明,采用n-i-p渐变结构的InGaN电池,i-InGaN层在低In组分下没有明显的优势,而在高In组分下的器件性能较好。在In组分为0.62时,转换效率最高达到8.48%。分析表明,p层在下的n-i-p渐变结构使得InGaN电池的极化电场与耗尽区的内建电场方向一致,有利于载流子的输运。采用n-i-p渐变结构有利于制备高性能的InGaN太阳能电池。
鲁麟李明潮许福军江明陈其工
关键词：INGAN太阳能电池
一种基于蜂窝的TSV聚簇故障容错结构
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种基于蜂窝的TSV聚簇故障容错结构，由N层环形结构组成，在最外层环形结构中的六边形中心处都设有一个冗余TSV，利用六边形这种灵活且稳定的结构排列所有TSV，合理的摆放冗余TSV的位置和...
倪天明姚瑶鲁麟代广珍韩名君高文根瞿成明朱世东
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AlN插入层对AlzGa1-zN／GaN异质结微结构和电学性质的影响
@@引言： AlxGa1-xN／GaN异质结在高温、高频和高功率电子器件方面有很大的应用前景。对AlxGa1-xN／GaN异质结的研究中的一个重要的问题是提高其二维电子气体的输运性质。采用AIN插入层可以有效地提高二维电...
宋杰沈波许福军苗振林鲁麟杨志坚张国义黄森
文献传递网络资源链接
一种面向三维集成电路中TSV的容错架构
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种面向三维集成电路中TSV的容错架构，该冗余结构由N层环形结构组成，通过六条射线将N层环形结构等分成六个区域，每层环形结构上设有三个RTSV，三个RTSV均匀的分布在六条射线上，相邻层...
倪天明束月鲁麟代广珍韩名君高文根瞿成明朱世东
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用硫化铵做表面处理的n型GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的高温特性
本文用传输线模型对用硫化铵做表面处理的n型GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的比接触电阻率对温度的依赖关系进行了研究。
林芳张国义沈波黄森许福君鲁麟宋杰梅伏洪马楠秦志新
关键词：表面处理欧姆接触
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