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黎育煌

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学IC设计中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇VDMOS器...
  • 2篇BCD工艺
  • 1篇电路
  • 1篇电平位移
  • 1篇优化设计
  • 1篇栅极
  • 1篇栅极驱动
  • 1篇栅极驱动电路
  • 1篇驱动电路
  • 1篇漏极
  • 1篇集成电路
  • 1篇功率
  • 1篇功率集成
  • 1篇功率集成电路
  • 1篇VDMOS
  • 1篇H桥
  • 1篇高功率

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇方健
  • 3篇黎育煌
  • 2篇向莉
  • 1篇尹德扬
  • 1篇尹德杨
  • 1篇王凯

传媒

  • 2篇2009四川...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
带电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路被引量：2
2011年
提出了一种带高压电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路。电平位移电路采用脉冲下拉方式实现高压电平位移,与一般的方波下拉方式相比,有效地减小了电路的功耗。分析了脉冲下拉方式电平位移电路的工作原理与实现方式,以此为基础,设计了H桥高端驱动电路。基于5μm高压BCD工艺,采用Spectres进行电路仿真,完成了电路版图设计和流片测试。结果显示,设计的高端驱动电路能很好地实现高端功率管栅极电位的悬浮抬升。
向莉方健黎育煌
关键词：栅极驱动电平位移H桥BCD工艺
一种集成VDMOS的漏极槽引出方法
功率集成电路需要在一块芯片上集成低压控制电路和集成功率器件。与常规的分离VDMOS器件从底部引出漏极不同的是，集成的VDMOS的漏极需要从芯片表面引出，故需要考虑N型埋层与sink引出电阻对导通电阻的影响。本义提出了一种...
尹德杨方健黎育煌
关键词：功率集成电路VDMOS器件
文献传递
高功率BCD工艺中的VDMOS器件设计
本文对一种高功率BCD工艺中的VDMOS器件进行了优化设计。通过综合考量高功率BCD工艺中各种器件设计之间的制约与兼容性，并借助软件仿真，对VDMOS器件的相关参数，包括埋层上扩特征长度、多晶栅长及JFET区注入等进行优...
黎育煌尹德扬方健王凯向莉
关键词：VDMOS器件优化设计
文献传递
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