您的位置： 专家智库 > >

尹德杨

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇VDMOS器...
  • 1篇电路
  • 1篇漏极
  • 1篇集成电路
  • 1篇功率集成
  • 1篇功率集成电路
  • 1篇BCD工艺
  • 1篇BCD

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇尹德杨
  • 1篇方健
  • 1篇黎育煌

传媒

  • 1篇2009四川...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
一种集成VDMOS的漏极槽引出方法
功率集成电路需要在一块芯片上集成低压控制电路和集成功率器件。与常规的分离VDMOS器件从底部引出漏极不同的是，集成的VDMOS的漏极需要从芯片表面引出，故需要考虑N型埋层与sink引出电阻对导通电阻的影响。本义提出了一种...
尹德杨方健黎育煌
关键词：功率集成电路VDMOS器件
文献传递
一种适用于功率驱动电路的BCD工艺开发及优化
本文的主要工作为自行设计一套适用于耐压80V应用环境，集成VDMOS器件，具有较小功率管导通电阻，适合于较大电流应用的功率BCD工艺，并将设计的重心放在降低集成功率VDMOS的导通电阻和增加其电流能力上。　　BCD工艺自...
尹德杨
关键词：BCD工艺VDMOS器件
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0