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刘宏图

作品数：3 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电阻率
  • 1篇多孔硅
  • 1篇散射
  • 1篇散射谱
  • 1篇色散
  • 1篇色散关系
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇声子
  • 1篇瞬态
  • 1篇退火
  • 1篇能级
  • 1篇热退火
  • 1篇离子注入
  • 1篇喇曼
  • 1篇喇曼谱
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光学
  • 1篇光学声子

机构

  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇刘宏图
  • 3篇王晓平
  • 2篇赵特秀
  • 2篇刘磁辉
  • 1篇郭学哲
  • 1篇傅竹西
  • 1篇朱弘
  • 1篇林碧霞
  • 1篇施一生
  • 1篇翁惠民

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2003
  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
光学声子色散关系对多孔硅喇曼谱的影响被引量：3
1995年
测量了多孔硅的喇曼光谱，观察到谱峰有明显的红移和非对称性展宽效应．用微晶模型对此现象进行了解释：认为谱峰的这种变化不完全是由尺寸的空间限制效应和多孔硅的应变造成的，更主要的是多孔硅的色散关系发生了变化．采用不同的色散关系对谱峰进行了拟合，发现色散关系对喇曼谱的拟合有较大的影响．
王晓平赵特秀刘磁辉朱弘刘宏图
关键词：多孔硅色散散射谱光学声子
Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究
2003年
本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究。结果发现:经几秒钟的BTA处理,Nd能在Si中被激活并形成深能级中心,测量到较宽的DLTS谱峰。Nd在n-Si中的深能级行为与Si衬底材料的浅能级杂质基本无关。在低于1285℃的RTA时,Nd形成的深能级中心均为施主型。深能级中心的位置随注入剂量和退火温度不同而有所变化;高温退火后,Nd在硅中有一个能级位置为E_c-(0.32±0.04)eV稳定的施主型深中心,对它的成因进行了讨论。
刘磁辉林碧霞王晓平刘宏图傅竹西
关键词：SI热退火深能级瞬态谱离子注入钕半导体材料
多层溅射制备WSi＿x／Si薄膜的电阻率特性研究被引量：2
1994年
利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ＿ｘ／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ＿ｘ薄膜中Ｗ＿５Ｓｉ＿３四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。
王晓平赵特秀刘宏图施一生翁惠民郭学哲
关键词：硅化钨溅射电阻率
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