刘志农
- 作品数：18 被引量：35H指数：4
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学经济管理更多>>
- 高电压微波功率SiGe HBT研究
- 在大量工艺优化的基础上，在国内首先成功开发出5英寸单晶发射极SiGeHBT器件工艺(即SiGF/SiGG)和多晶发射极SiGeHBT器件工艺(即SiGH)。这些工艺仅需6步光刻(SiGG仅需5步光刻)，片内的成品率达80...
- 刘志农
- 关键词：多晶发射极化学气相淀积功率晶体管
- 用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器(英文)被引量：1
- 2002年
- 报道了一种性能良好的 Si Ge功率放大器 ,具有用于无线通信的前景 .在 B类模式下工作时 ,输出功率可以达到 30 d Bm.在 AB类模式下 ,电源电压为 4 V工作时 ,1d B压缩点输出功率 (P1 d B)为 2 4 d Bm,输出功率三阶交截点(TOI)为 39d Bm.最大的功率附加效率 (PAE)和在 1d B压缩点的功率附加效率分别达到 34%和 2 5 % .处理 CDMA信号时的邻道功率抑制超过 4 2 d Bc,符合 IS95标准 .
- 贾宏勇刘志农李高庆钱佩信
- 关键词：无线通信锗硅异质结双极型晶体管微波功率放大器
- 纳米尺度加工技术概述
- 2002年
- 本文简要介绍了微电子光刻技术的发展和现有的一些可替代技术及其优缺点,并介绍了一些利用常规方法和工艺手段实现局域或自组装纳米结构的方法。
- 王吉林邓宁刘志农黄文韬陈培毅
- 关键词：光刻技术微电子工艺纳米压印量子点特征尺寸微电子技术
- 一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法被引量：2
- 2003年
- 在双台面SiGeHBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度。现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法,具有各自的优缺点。本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法,这种方法具有简单、高效、低成本的优点。
- 刘志农熊小义付玉霞张伟陈培毅钱佩信
- 关键词：EFL四探针双极性晶体管
- 弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长被引量：5
- 2000年
- 利用自制的冷壁石英腔 UHV/CVD设备 ,60 0℃条件下 ,通过 Ge组分渐变缓冲层技术 ,在 Si( 1 0 0 )衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的 Si0 .83Ge0 .17外延层 ,并在其上获得了具有张应变的 Si盖帽层 .另外 ,还在 550℃下生长了同样结构的样品 ,发现此样品厚度明显变薄 ,组分渐变层的应变释放不完全 ,位错网稀疏而且不均匀 ,其上的 Si0 .83Ge0 .
- 罗广礼林小峰刘志农陈培毅林惠旺钱佩信刘安生
- 关键词：外延层UHV/CVD锗化硅
- 多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT(英文)被引量：3
- 2003年
- 研制成功了可商业化的 75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料 .研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件 ,其性能为 :β =60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指 ,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷 ,该工艺总共只有 6步光刻 ,与CMOS工艺兼容且 (因多晶发射极 )无需发射极外延层的生长 ,这些优点使其适合于商业化生产 .利用 60指和 1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器 .60指功放在 90 0MHz和 3 5V/ 0 2A偏置时在 1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE =2 2dBm/ 1 1dB/ 2 6 1 % .1 2 0指功放 90 0MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE =33 3dBm (2 1W ) / 1 0 3dB/ 33 9% @1 1V/ 0 52A .
- 刘志农熊小义黄文韬李高庆张伟许军刘志弘林惠旺许平陈培毅钱佩信
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管微波功率放大器
- SiGe技术研发现状与发展趋势(上)
- 2003年
- SiGe 技术发展迅速,本文将依次介绍:IBM 公司的 SiGe 技术进展、SiGe 外延设备产业化的情况。当前 SiGe 技术的最新进展和 SiGe 晶圆代工的现况、业界主要 SiGe 公司的 SiGe 产品发展现状。SiGe 产品已在通信领域遍地开花。
- 刘志农钱佩信
- 关键词：SIGE
- 有弛豫缓冲层的SiGe HMOSFET材料
- 利用超高真空气相外延(UHV/CVD)设备SGE400生长了有弛豫缓冲层的Si<,1-x>Ge<,x>MOSFET材料.采用多种手段分析了材料的生长速率、生长质量.结果证明SGE400系统可以较好控制Ge的组分,并得到高...
- 黄文韬刘志农罗光礼陈培毅钱佩信
- 关键词：SIGE材料生长速率
- 文献传递
- UHV/CVD多晶锗硅及其电学特性
- 2004年
- 采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550°C下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等条件下单晶SiGe生长速率低;其电阻率随GeH4流量的增加而下降,随快速热退火温度的升高而下降。
- 黄文韬陈长春刘志农邓宁刘志弘陈培毅钱佩信
- 关键词：UHV/CVD快速热退火
- UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析被引量：7
- 2001年
- 本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法的结果十分一致 ,这说明本文提出的方法是准确可靠的。这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET ,对 0 5 μm沟长器件 ,跨导达 112ms·mm-1。
- 朱培喻陈培毅黎晨罗广礼贾宏勇刘志农钱佩信
- 关键词：SIGE合金UHV/CVD拉曼光谱分析半导体薄膜
