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陈培毅

作品数：109 被引量：181H指数：7
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 76篇期刊文章
  • 21篇专利
  • 11篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 71篇电子电信
  • 16篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 18篇量子
  • 17篇量子点
  • 17篇晶体管
  • 14篇SIGE
  • 11篇异质结
  • 11篇红外
  • 10篇锗化硅
  • 10篇双极晶体管
  • 10篇探测器
  • 10篇自旋
  • 10篇纳米
  • 9篇红外探测
  • 9篇红外探测器
  • 9篇HBT
  • 9篇存储器
  • 8篇隧穿
  • 8篇SIGE_H...
  • 8篇UHV/CV...
  • 7篇共振隧穿
  • 7篇共振隧穿二极...

机构

  • 107篇清华大学
  • 7篇中国科学院
  • 5篇天津大学
  • 3篇中国科学技术...
  • 2篇北京有色金属...
  • 2篇香港科技大学
  • 1篇帝国理工学院
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇台湾交通大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇无锡微电子科...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 109篇陈培毅
  • 34篇钱佩信
  • 28篇邓宁
  • 21篇任敏
  • 20篇邓宁
  • 19篇罗广礼
  • 16篇董浩
  • 14篇黄文韬
  • 12篇张磊
  • 11篇刘志农
  • 10篇王吉林
  • 10篇魏榕山
  • 9篇黎晨
  • 9篇张磊
  • 9篇王燕
  • 9篇贾宏勇
  • 9篇林惠旺
  • 7篇胡九宁
  • 7篇熊晨荣
  • 7篇王瑞忠

传媒

  • 24篇Journa...
  • 12篇微纳电子技术
  • 6篇物理学报
  • 4篇半导体技术
  • 4篇微电子学
  • 4篇第二届全国纳...
  • 4篇第十二届全国...
  • 3篇电子学报
  • 3篇清华大学学报...
  • 2篇半导体情报
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇激光与红外
  • 1篇世界电子元器...
  • 1篇世界科技研究...
  • 1篇核技术
  • 1篇天津大学学报...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇发光学报
  • 1篇电子产品世界
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 6篇2011
  • 3篇2010
  • 7篇2009
  • 3篇2008
  • 6篇2007
  • 8篇2006
  • 8篇2005
  • 6篇2004
  • 11篇2003
  • 12篇2002
  • 11篇2001
  • 5篇2000
  • 5篇1999
  • 4篇1998
  • 7篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1993
  • 1篇1991
共 109 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理被引量：6
1997年
用射频（RF）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜（nc－Ge／SiO2），观察到了多峰的光致发光现象，发现随着激发光波长的增长，多峰发光谱的最强峰向低能方向移动，但是各子峰的位置不发生改变，而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致．X射线光电子能谱（XPS）分析显示膜中不存在纳米晶硅成分，表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。
许怀哲朱美芳侯伯元陈光华马智训陈培毅
关键词：二氧化硅
应变Si沟道异质结NMOS晶体管(英文)被引量：3
2002年
通过参数调整和工艺简化 ,制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管 .该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道 ,相比于体Si器件在 1V栅压下电子迁移率最大可提高 48 5 % .
史进黄文涛陈培毅
关键词：NMOS晶体管迁移率锗化硅
P^+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性被引量：2
1997年
本文对P+GexSi1-x／P－Si异质结内光发射长波长红外探测器的电极结构进行了改进，并在国内首次报道了这种器件在77K下的电学特性和光学响应特性。
王瑞忠陈培毅钱佩信罗广礼张镭郑康立周均铭
关键词：红外探测器长波长HIP
不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究被引量：4
1998年
Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．
钱伟金晓军张炯林惠旺陈培毅钱佩信
关键词：锗化硅HBT应变层
硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响被引量：3
2002年
研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。
邓宁黄文韬王燕罗广礼陈培毅李志坚
关键词：UHVCVDGE量子点
SiGe沟道SOI CMOS的设计及模拟被引量：2
2003年
在 SOI(Silicon on Insulator)结构硅膜上面生长一层 Si Ge合金 ,采用类似 SOICMOS工艺制作成具有Si Ge沟道的 SOICMOS集成电路。该电路不仅具有 SOICMOS电路的优点 ,而且因为 Si Ge中的载流子迁移率明显高于 Si中载流子的迁移率 ,所以提高了电路的速度和驱动能力。另外由于两种极性的 SOI MOSFET都采用 Si Ge沟道 ,就避免了只有 SOIPMOSFET采用 Si Ge沟道带来的选择性生长 Si Ge层的麻烦。采用二维工艺模拟得到了器件的结构 ,并以此结构参数进行了器件模拟。模拟结果表明 ,N沟和 P沟两种 MOSFET的驱动电流都有所增加 。
李树荣王纯王静郭维廉郑云光郑元芬陈培毅黎晨
关键词：SIGECMOS集成电路
SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较被引量：1
2002年
比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级。表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释。
康爱国孟祥提王吉林贾宏勇陈培毅钱佩信
关键词：HBTSIBJT
纳米尺寸自旋阀中电流驱动的自旋波发射
2008年
提出了在纳米赝自旋阀中的电流感应自旋传输矩的磁动力学描述,成功地解释了在磁纳米多层结构中的电流驱动微波发射和电流感应磁化翻转现象。自旋流极化由在电导匹配时的自旋流和化学势连续性边界条件决定。自旋矩的纵向和横向分量在自旋阀的电流驱动微波发射和电流感应磁化翻转现象中扮演了不同的角色:纵向自旋矩分量决定了电流感应磁化翻转(CIMS)效应,而横向自旋矩是自旋波发射(SWE)效应所不可缺少的。根据这一理论,由LLG方程自然得到自旋波发射的双模,分别为横向自旋矩引发的X和Y方向的振动,并引起磁多层电阻以频率2w或w(进动频率)随时间变化。磁场和自旋流共同决定了自旋波发射的频率和功率,这一理论预言了某种特殊的磁多层结构,如磁层相互垂直的结构,将具有大得多的微波发射效率,这一结论已经被实验所证实。
胡九宁陈培毅张磊任敏董浩邓宁
磁存储单元
本发明提出一种磁存储单元，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅电极与位线相连；位于所述第一晶体管的沟道绝缘层和栅电极之间的磁性隧道结MTJ；和第二晶体管，所述第二晶体管的源/漏极之一与所述MTJ串行连接，其中，所述磁存储...
邓宁陈培毅曲秉郡张磊张树超董浩任敏
文献传递
电荷DLTS及其对硅上砷化镓材料中深能级的测量
1991年
本文提出并建立了具有漏电补偿功能的电荷DLTS方法.该方法具有与电容DLTS方法相同的率窗特性,同时又能直接测量深能级热发射的电荷响应而不必依赖耗尽区厚度的热发射调制,因此能用于半绝缘材料及耗尽层厚限定(如PIN,SOI结构)材料中的深能级测量.所建立的测量系统利用微机控制,可以在一次温度扫描中完成测量过程.利用该系统首次测量了 MBE生长硅衬底砷化镓材料上 LED二极管有源区中的深能级密度及位置,证实了其中高密度深能级的存在.
董琪郑心畬陈培毅费新礴
关键词：砷化镓深能级
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