吴艳艳
- 作品数：5 被引量：14H指数：3
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金广东省战略性新兴产业专项国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 电流拥挤效应与LED器件可靠性分析被引量：6
- 2013年
- 对小功率GaN基白光LED的电流拥挤效应进行了研究,发现串联灯组(8只为一组)在经过22 V电压冲击后出现漏电失效现象。通过Pspice软件对串联LED灯组进行模拟,发现与其他样品相比,受损样品承受了更大的电压和功率;对器件加-2 V偏压,利用光发射(EMMI)显微镜对芯片表面不同量级漏电流进行定位分析比较,结果表明漏电流集中在p型扩展电极端点附近。分析认为,电压冲击的破坏路径穿过了LED的量子阱结构,而电流的不均匀分布造成了p型扩展电极附近的电流拥挤,加剧了pn结的损伤程度,提高电流扩展的均匀性可以有效提高LED的可靠性。最后还对在正向电流-电压区域出现微分负阻特性的器件进行了失效分析。
- 吴艳艳冯士维乔彦斌魏光华张建伟
- 关键词：光学器件发光二极管可靠性
- 功率型白光LED光学特性退化分析被引量：3
- 2012年
- 将GaN基蓝光芯片涂敷YAG荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 W的白光发光二极管(LED),对其施加900mA的电流应力,在老化过程中测量白光LED的主要光学参数,考察其光学特性的退化情况。经过4 200h的老化,样品光通量退化为初始值的15%～18%。样品的漏电流明显增大,表明芯片有源区缺陷密度提高,但光谱分布图中蓝光部分的辐射量未减少,仅观察到黄光部分辐射量的减少,推断出YAG荧光粉的转换效率降低。同时,从原理上分析了样品色温逐渐增大,显色指数基本不变的原因,对大功率白光LED在照明领域的应用有一定的借鉴意义。
- 周舟冯士维郭春生张光沉吴艳艳
- 关键词：发光二极管光谱荧光粉显色指数
- GaN基白光LED失效机理分析与研究
- GaN基白光LED作为新一代的全固态发光器件，具有节能、环保、寿命长、显色性好、响应速度快等一系列优势，是近年来最具有发展前景的高新技术领域之一，有望取代白炽灯、荧光灯和高压放电灯等传统光源，成为人类照明历史上的第四代照...
- 吴艳艳
- 关键词：发光二极管可靠性分析GAN基白光LED
- GaN白光LED失效机理分析与研究
- GaN基白光LED作为新一代的全固态发光器件，具有节能、环保、寿命长、显色性好、响应速度快等一系列优势，是近年来最具有发展前景的高新技术领域之一，有望取代白炽灯、荧光灯和高压放电灯等传统光源，成为人类照明历史上的第四代照...
- 吴艳艳
- 关键词：发光二极管可靠性
- 文献传递
- 大功率GaN基白光LED荧光层失效机理研究被引量：5
- 2012年
- 在某些情况下长期服役,发现部分白光发光二极管(LED)器件表面出现黑色物质,影响了光的转换和取出。采用切割剖面、扫描电镜(SEM)和能量弥散光谱仪(EDS)等微区分析手段,辅以电流和温度加速应力实验,对部分老化后表面出现变黑现象的芯片进行分析,发现变黑样品的C与Si的原子数比是13.21,高于未变黑样品(8.45)。而有机材料在温度和光照条件下会发生降解碳化,这是LED封装失效的主要原因,与芯片本身无关,验证了高温是最主要的失效因素,光照影响也不可忽略。芯片和封装材料膨胀系数不匹配造成的界面应力、长时间蓝光照射引起的光降解和光热耦合作用造成了器件灾变性失效。
- 吴艳艳冯士维周舟魏光华
- 关键词：光学器件微区分析
