周春红
- 作品数：7 被引量：17H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生更多>>
- AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究被引量：3
- 2004年
- 利用Al_AlN_Si(111)MIS结构电容_频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN_Si异质结构中的电荷陷阱态 .揭示了AlN_Si异质结构界面电荷陷阱态以及AlN层中的分立陷阱中心 .结果指出 :AlN层中存在Et-Ev=2 5 5eV的分立陷阱中心 ;AlN_Si界面陷阱态在Si能隙范围内呈连续分布 ,带中央态密度最低 ,Nss为 8× 10 1 1 eV- 1 cm- 2 ,对应的时间常数τ为 8× 10 - 4s ,俘获截面σn 为 1 5 8× 10 - 1 4cm2 ;在AlN界面层存在三种陷阱态 。
- 周春红郑有炓邓咏桢孔月婵陈鹏席冬娟顾书林沈波张荣江若琏韩平施毅
- 关键词：SI(111)AIN界面电荷金属有机化学气相沉积能隙态密度
- Si基AIN异质结构陷阱态和GaN基场效应器件Monte Carlo模拟
- 本论文包括两部分研究内容：“Si基AlN异质结构电荷陷阱态”和“GaN基异质结构场效应器件的 Monte Carlo 模拟”。
AIN是Ⅲ族氮化物半导体中禁带宽度最宽、极化性质最强的一种新型半导体材料，它在微电...
- 周春红
- 关键词：氮化物半导体氮化镓蒙特卡罗方法
- Al/AlN/Si MIS结构的电学性质
- 2006年
- 用S i(111)上M OCVD生长的晶态A lN制备出性能良好的A l/A lN/S i(111)M IS结构,用C-V技术首次系统研究了A l/A lN/S iM IS结构的电学性质。用A l/A lN/S iM IS结构的C-V技术测量了A lN的极化特性,得出A lN层的极化强度为-0.000 92 C/m2;揭示了A lN/S i界面存在连续分布的载流子陷阱态,给出了陷阱态密度在S i禁带中随能量的分布;还观察到A lN界面层存在Et-Ev(A lN)=2.55 eV的分立陷阱中心。
- 周春红孔月婵席冬娟陈鹏郑有炓
- Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究被引量：1
- 2004年
- 通过 PL 谱和 Raman谱对 MOCVD生长 Si基 Al N的深陷阱中心进行了研究 ,发现三个深能级 Et1 ,Et2 ,Et3,分别在 Ev 上 2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位 (或 Al间隙原子 )能级峰位靠近重合共同引起的 ,Et2 、Et3都是由于衬底 Si原子扩散到 Al N引起的 .在 Si浓度较低时 ,Si主要以取代 Al原子的方式存在 ,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时 ,部分 Si原子以取代 N原子位置的方式存在 ,形成深陷阱中心 Et3.实验还表明 ,即使经高温长时间退火 ,Al N中 Et1 和 Et2
- 邓咏桢郑有炓周春红孔月婵陈鹏叶建东顾书林沈波张荣江若琏韩平施毅
- 关键词：PL谱
- 硅基AlN应力和压电极化研究被引量：1
- 2004年
- 通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)的方法在Si( 111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化 ,Raman谱观察到两个声子峰位分别在 619.5cm- 1 (A1 (TO) )和 668.5cm- 1 (E2 (high) )。通过光学声子E2 (high)的频移为 13cm- 1 计算得到AlN薄膜上的双轴压应力为 5 .1GPa ,在z轴方向上和在垂直于z轴方向上的应变分别为εzz=6 7× 10 - 3和εxx=-1 1× 10 - 2 ,产生的压电极化电荷PPE=2 .2 6× 10 - 2 c·m- 2 ,这相当于在Si的表面产生浓度为 1.41× 10 1 3c·cm- 2 的电子积累。同时 ,实验还发现在MOCVD生长过程中存在Si原子的扩散 ,在界面处形成了一个过渡层 ,过渡层主要以Si原子取代Al原子的位置并形成Si-N键为主。
- 邓咏桢孔月婵郑有炓周春红沈波张荣
- 关键词：拉曼谱应力压电极化
- AlGaN/GaN异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响被引量：12
- 2004年
- 从Ⅲ族氮化物中压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发 ,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程 ,分别研究了自发极化、压电极化和AlGaN势垒层掺杂对AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气的浓度、分布、面密度以及子带分布等性质的影响 .结果表明 :二维电子气性质强烈依赖于极化效应 ,不考虑AlGaN势垒层掺杂 ,当Al组分为 0 3时 ,由极化导致的二维电子气浓度达 1 6× 10 1 3cm- 2 ,其中压电极化对二维电子气贡献为 0 7× 10 1 3cm- 2 ,略小于自发极化的贡献 (0 9× 10 1 3cm- 2 ) ,但为同一数量级 ,因而通过控制AlGaN层应变而改变极化对于提高二维电子气浓度至关重要 .AlGaN势垒层掺杂对二维电子气的影响较弱 ,当掺杂浓度从 1× 10 1 7增加到 1× 10 1 8cm- 3时 ,二维电子气面密度增加 0 2× 10 1 3cm- 2 .
- 孔月婵郑有炓周春红邓永桢顾书林沈波张荣韩平江若琏施毅
- 关键词：二维电子气自发极化压电极化半导体物理
- 含微小RNA的p53网络的动力学和功能研究
- 细胞信号转导的研究对了解细胞基本生命活动的分子机制和揭示生命的本质有重要的意义。细胞每时每刻都在监控胞内外环境的变化，并针对不同的应激信号作出恰当的反应。肿瘤抑制因子p53可调控细胞应答多种应激信号，如DNA损伤、癌基因...
- 周春红
- 关键词：细胞应答肿瘤抑制因子微小核糖核酸信号网络动力学
- 文献传递
