姚志斌
- 作品数：126 被引量：186H指数：7
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>
- 不同偏置条件下光电耦合器的总剂量效应
- 2015年
- 开展了4N49光电耦合器不同辐照偏置条件下的辐照实验,结果表明:电流传输比的下降幅度与辐照期间的偏置条件有关,处于工作状态的光电耦合器比短路状态的总剂量效应要弱,其根源是光电耦合器的LED施加了电流,而与光敏晶体管的偏置状态关系不大;电流传输比随偏置条件的变化关系是由初级光电流决定的,而C-B区光响应度是初级光电流退化的主导因素。
- 黄绍艳刘敏波盛江坤姚志斌王祖军何宝平肖志刚唐本奇
- 关键词：光电耦合器总剂量效应电流传输比
- 运算放大器总剂量效应的PSPICE模拟计算被引量：4
- 2010年
- 对双极及体硅CMOS工艺的单一和复合运算放大器的总剂量效应进行了PSPICE模拟计算,模拟通过改变运算放大器总剂量效应的敏感参数来实现,双极运算放大器的敏感参数是补偿电容和晶体管的电流放大倍数,CMOS型运算放大器的敏感参数是MOS管的阈值电压。模拟结果表明随着总剂量辐照的增加,双极及CMOS运算放大器出现增益降低,带宽变小,转换速率下降的现象;在总剂量辐照效应下,两种工艺的复合运算放大器的抗总剂量性能优于单一运算放大器。
- 赵雯郭红霞何宝平张凤祁罗尹虹姚志斌
- 关键词：运算放大器PSPICE
- 典型双极器件低剂量率辐射损伤增强效应实验研究
- 选取了两种类型的双极晶体管和九种双极集成电路,利用Co放射源开展了四种不同剂量率下的辐照实验,测量了双极晶体管基极电流以及运算放大器和比较器的输入偏置电流等辐射敏感参数随总剂量的变化规律,获得了器件的低剂量率增强因子;实...
- 刘敏波陈伟姚志斌何宝平黄绍艳盛江坤肖志刚王祖军
- 关键词：晶体管双极集成电路剂量率
- 文献传递
- 静态随机存储器的电磁脉冲效应实验研究被引量：1
- 2010年
- 实验研究了静态随机存储器(SRAM)的电磁脉冲效应,重点研究存储器容量不同、不同脉冲宽度脉冲场激励以及存储器读写状态与否等情况下的效应规律,实验场强在2.5至40 kV/m之间。实验结果表明,存储器处于读写状态即片选有效时其效应更为严重,存储器的翻转效应与存储容量大小、激励电磁脉冲的脉冲宽度关系不大,电磁脉冲的场强幅值是其主要的敏感参数。
- 韩军谢彦召翟爱斌姚志斌
- 关键词：存储器电磁脉冲
- 一种光电图像传感器辐射瞬态响应的测试方法
- 本发明提供一种光电图像传感器辐射瞬态响应的测试方法，该方法解决了不同辐射环境下光电图像传感器瞬态响应典型特征及规律实验测试的问题，实现对瞬态响应快速、准确测试与分析，为应用于辐射环境下光电图像传感器辐射噪声处理、辐射信号...
- 王祖军薛院院陈伟刘敏波姚志斌何宝平盛江坤马武英缑石龙
- 文献传递
- 基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法
- 本发明涉及一种基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，该方法提高了CMOS工艺器件抗总剂量能力，解决了CMOS器件在空间辐射中长时间应用，使电子器件性能退变，甚至功能失效的问题。其包括1)确定待加固CMOS工艺器件的最...
- 马武英何振山丛培天姚志斌王祖军何宝平盛江坤董观涛薛院院
- 文献传递
- 面阵光电图像传感器辐射瞬态响应的模拟方法及模拟装置
- 本发明提供一种面阵光电图像传感器辐射瞬态响应的模拟方法及模拟装置，对射线或粒子辐射场环境下光电图像传感器辐射瞬态响应进行模拟，解决复杂辐射环境下面阵光电图像传感器辐射瞬态响应评估试验成本高、获取的有效数据少以及获取的数据...
- 薛院院王祖军陈伟刘敏波郭晓强姚志斌何宝平盛江坤马武英缑石龙
- 文献传递
- CCD质子辐照损伤效应的三维蒙特卡罗模拟被引量：4
- 2018年
- 针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究。采用三维蒙特卡罗软件Geant4模拟计算了不同能量质子在Si和SiO_2中的射程及Bragg峰,分析了不同能量质子在材料中能量沉积的过程,并将模拟结果与相关数据进行对比,模拟误差在5%以内。根据质子与材料相互作用的物理过程,选取了合适的Lindhard分离函数,添加合适的物理过程,模拟计算了不同能量质子在SiO_2中的电离能量损失和Si中的非电离能量损失,并将结果与国外相关数据进行对比。根据CCD的生产工艺参数,建立了单个像元的三维模拟模型,确定了质子辐照损伤的灵敏体积,模拟计算了不同能量质子在像元灵敏体积内的电离能量沉积与非电离能量沉积,分析了CCD不同能量质子的辐照损伤差异产生的机理。结合粒子输运计算结果与CCD质子辐照实验结果,分析了质子辐照诱发CCD辐射敏感参数退化的物理机制。
- 薛院院王祖军刘静何宝平姚志斌刘敏波盛江坤马武英董观涛金军山
- 关键词：质子GEANT4
- 一种用于单粒子翻转的故障模拟系统及分析方法
- 本发明涉及一种用于大规模集成电路SRAM型FPGA中单粒子翻转的故障模拟系统及分析方法，包括上位计算机和控制板，所述控制板包括故障注入模块、故障检测模块、故障分析模块。本发明提供了一种使用灵活、成本低廉、具有模拟精度高、...
- 王忠明姚志斌郭红霞赵雯丁李利王艳萍肖尧王园明张科营王伟
- 文献传递
- 光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应被引量：1
- 2014年
- 开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情况下,通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试,以及耦合介质传输损耗特性的分析,证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降。
- 黄绍艳刘敏波姚志斌盛江坤肖志刚何宝平王祖军唐本奇
- 关键词：光电耦合器
