郭红霞
- 作品数：275 被引量：324H指数：9
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>
- 静态单粒子翻转截面的获取及分类被引量：4
- 2011年
- 为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对翻转数据进行了分类。结果表明:SRAM型FPGA的内部存储单元对单粒子翻转效应十分敏感;配置存储器翻转主要由查找表(LUT)及互连线资控制位造成,这两者的翻转占总翻转数的97.46%;配置存储器中各类资源的单粒子翻转(SEU)敏感性并不一致,输入输出端口(IOB)控制位和LUT的单粒子翻转的敏感性远高于其它几类资源,但LUT在配置存储器中占有很大比例,在加固时应予以重点考虑。
- 姚志斌范如玉郭红霞王忠明何宝平张凤祁张科营
- 关键词：FPGA辐照效应单粒子效应单粒子翻转
- 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法
- 本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取...
- 郭红霞郭旗李培文林王信刘默寒崔江维陆妩余学峰何承发
- 文献传递
- CMOS器件的脉冲γ总剂量效应初探
- 2004年
- 利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并比较了在给定实验条件下NMOSFET和PMOSFET脉冲总剂量效应与60Coγ稳态总剂量效应之间的损伤差异,运用复合模型、氧化物陷阱电荷的隧道退火以及界面态建立的两阶段模型对实验结果进行了分析。
- 罗尹虹龚建成关颖石小峰郭红霞
- 关键词：CMOS器件总剂量效应NMOSFETPMOSFET陷阱电荷^60CO
- 同步动态随机存储器辐射效应测试系统研制被引量：2
- 2013年
- 在分析同步动态随机存储器(SDRAM)辐射效应主要失效现象的基础上,研制了具备了读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系统,并开展了SDRAM的总剂量效应实验研究。结果表明,总剂量效应会导致SDRAM器件的数据保持时间不断减小,功耗电流不断增大以及读写功能失效。实验样品MT48LC8M32B2的功能失效主要由外围控制电路造成,而非存储单元翻转。数据保持时间虽然随着辐照剂量的累积不断减小,但不是造成该器件功能失效的直接原因。
- 姚志斌罗尹虹陈伟何宝平张凤祁郭红霞
- 关键词：同步动态随机存储器测试系统总剂量效应
- 纳米DDR SRAM器件重离子单粒子效应试验研究被引量：6
- 2013年
- 针对90nm和65nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可行性进行了分析。研究表明:特征尺寸减小导致翻转截面降低,测试图形和工作电压对器件单粒子翻转截面影响不大;随着入射角度增加,多位翻转的增加导致器件SEU截面有所增大;余弦倾角的试验方法对于纳米器件的适用性与离子种类和线性能量转移(LET)值相关,具有很大的局限性。
- 罗尹虹张凤祁郭红霞周辉王燕萍张科营
- 关键词：单粒子效应倾角
- 一种CMOS图像传感器质子辐照后图像滞留的测量方法
- 本发明公开了一种CMOS图像传感器质子辐照后图像滞留的测量方法。采用温控箱进行了温度控制，实现了CMOS图像传感器质子辐照后图像滞留的准确测量；通过第i帧(i为1、2、3…M)图像的计算采用取多组图像求平均值的方法，能够...
- 薛院院王祖军刘静姚志斌何宝平郭红霞陈伟刘敏波盛江坤马武英金军山董观涛
- MOSFET单粒子翻转效应的二维数值模拟
- 本文用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上,建立分析器件SEU(Single Event Upset)的可靠手段.通过输入不同粒子的LET(Line Energy Transmi...
- 郭红霞张义门陈雨生周辉肖伟坚龚仁喜贺朝会龚建成
- 关键词：单粒子翻转漏斗模型
- 文献传递
- 多层平板电离室的研制及应用
- 研究针对<'60>Coγ射线和30~100keV的X射线设计了两套多层平板铝电离室.用设计的电离室分别测量了<'60>Coγ射线Au/Al界面剂量梯度分布和30~100keV的X射线Kovar/Au/Al、Pb/Al、T...
- 郭红霞陈雨生吾勤之吴国荣韩福斌
- 文献传递
- 存储器单粒子效应的动态测试结果的数据处理方法及装置
- 本申请公开了一种存储器单粒子效应的动态测试结果的数据处理方法，包括：获取所述存储器单粒子效应的动态测试结果；将所述动态测试结果中的错误数据按所述存储器的读周期逐行保存为二维数组，一个读周期对应于所述二维数组中的一行；对所...
- 郭红霞琚安安张凤祁周益春欧阳晓平张鸿
- 文献传递
- 功率UMOSFET的单粒子烧毁效应研究
- 通过三维数值模拟,深入分析了P+ Plug区的深度、源区掺杂浓度、漏极偏置、入射离子的LET值、入射角度和入射位置对功率UMOSFET (U-Shape Metal Oxide Semiconductor Field E...
- 赵雯郭红霞张凤祁王燕萍肖尧王园明
- 关键词：单粒子烧毁数值模拟
